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Autores (p.o. de firma): J. Wang; F. Demangeot; R. Péchou; A. Ponchet: A. Cros; B. Daudin
Título: Anticrossing of
axial and planar surface-related
phonon modes in Raman spectra of self-assembled GaN
nanowires
Ref. revista / Libro: Phys.
Rev. B 85, 155432 (2012)
Autores (p.o. de firma): T. Angelova;
N. Shtinkov; Ts.
Ivanov; V. Donchev; A. Cantarero;
Ch. Deneke, O. G. Schmidt; A. Cros
Título: Optical and
acoustic phonon modes in strained InGaAs/GaAs
rolled up tubes
Ref. revista / Libro: Appl. Phys. Lett. 100, 201904 (20012)
Autores
(p.o. de firma): R. Mata; A. Cros; K. Hestroffer; B. Daudin
Título:
Surface optical phonon modes in GaN nanowire
arrays: Dependence on nanowire density and diameter
Ref.
revista / Libro: Phys.
Rev. B 85, 035322 (2012)
Autores
(p.o. de firma): R. Mata,
K. Hestroffer, J. Budagosky,
A. Cros, C. Bougerol,
H. Renevier, B. Daudin
Título: Nucleation of GaN nanowires grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy: The effect of temperature
Ref.
revista / Libro: J.
Cryst. Growth 334, 177
(2011)
Autores
(p.o. de firma): A.Pokale,
Q.Shabir, A.Loni, D.R.Johnson, L.T.Canham, R. Fenollosa, M. Tymczenko, I.
Rodríguez, F.Meseguer, A.Cros,
and A. Cantarero
Título: Título: Medically Biodegradable Hydrogenated Amorphous Silicon Microspheres
Ref.
revista / Libro: Silicon, 3, 173-176 (2011)
Autores
(p.o. de firma): A. Cantarero,
A. Cros, N. Garro, M. I. Gomez-Gomez, A. Garcia-Cristobal, M. M. de Lima Jr., B. Daudin,
A. Rizzi, C. Denker, and J. Malindretos
Título:
Optical properties
of nitride semiconductors
Ref. revista / Libro: Annalen der Physik 523, 51
(2011) Erratum: Annalen der Physik 523, 957 (2011)
Autores
(p.o. de firma): R. Mata,
A. Cros, J. A. Budagosky,
A. Molina-Sánchez, N. Garro, A. García-Cristóbal, J. Renard, S. Founta, B. Gayral, E. Bellet-Amalric, C. Bougerol,
B. Daudin
Título: Reversed polarized emission in highly strained a-plane GaN/AlN multiple
quantum wells
Ref.
revista / Libro: Phys. Rev. B 82,
125405 (2010)
Autores
(p.o. de firma): K. Hestroffer,
R. Mata, D. Camacho, C. Leclere,
G. Tourbot, Y. M. Niquet,
A. Cros, C. Bougerol,
H. Renevier, B. Daudin
Título:
The structural properties of GaN/AlN core-shell nanocolumn heterostructures
Ref.
revista / Libro: Nanotechnology 21,
415702 (2010)
Autores
(p.o. de firma): G. Martínez-Criado, M. Hernández-Velez,
I. Letaro, A. Cros, A. Cantarero, I. Mínguez-Bacho,
J. Susini, R. Tucoulou,
J. A. Sans, R. Sanz, M. Vázquez
Título:
Optical investigation
of ZnO nanowires
Ref.
revista / Libro: Acta Physica
Polonica A, 117, 369 (2010)
Autores
(p.o. de firma): O.
Landré, V. Fellmann, P. Jaffrennou, C. Bougerol, H. Renevier, A. Cros,
and B. Daudin
Título:
Molecular
beam epitaxy growth and optical properties of AlN nanowires
Ref.
revista / Libro: Appl.
Phys. Lett. 96, 061912 (2010)
Autores
(p.o. de firma): V. Donchev, Ts Ivanov, T. Angelova, A. Cros, A. Cantarero, N. Shtinkov, K. Borisov, D.
Fuster, Y. González and L. González
Título:
Surface photovoltage
and photoluminescence spectroscopy of self-assembled InAs/InP quantum wires
Ref. revista /
Libro: J.
Phys.: Conf. Ser. 210, 012041 (2010)
Autores
(p.o. de firma): M.
H. Oliveira, Jr., G. A. Viana, M. M. de Lima, Jr., A. Cros,
A. Cantarero, and F. C.
Marques
Título: Influence of krypton atoms on the structure
of hydrogenated amorphous carbon deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition
Ref.
revista / Libro: J. Appl. Phys. 108, 123525 (2010)
Autores
(p.o. de firma): O Sancho-Juan, A Cantarero, N Garro, A Cros,
G Martínez-Criado, M Salomé, J Susini, D Olguín and S Dhar
Título:
X-ray absorption near-edge structure of GaN
with high Mn concentration grown on SiC
Ref. revista /
Libro: J. Phys.: Condens. Matter 21, 295801
(2009)
Autores
(p.o. de firma): C Bougerol, R Songmuang, D
Camacho, YM Nique, R Mata, A Cros and B Daudin
Título:
The structural properties of
GaN insertions in GaN/AlN nanocolumn heterostructures
Ref.
revista / Libro: Nanotechnology 20, 295706 (2009)
Autores (p.o. de
firma): M. Gómez-Gómez, A. Cros, M.
Hermann, M. Stutzmann, and M. Eickhoff
Título: Strain
effects and phonon-plasmon coupled modes in Si
doped AlN
Ref.
revista / Libro: phys.
stat. sol. (a), 206, No. 6,
1183– 1186 (2009)
Autores (p.o. de
firma): A. Cros, J. Fresneda,
J. A. Budagosky, B. Amstatt
and B. Daudin
Título:
Depth profiling of optical and
vibrational properties in
GaN/AlN quantum dot superlattices
Ref.
revista / Libro: phys.
stat. sol. (b) , 246, No. 6, 1191– 1195 (2009)
Autores
(p.o. de firma): R. Mata, N. Garro, A. Cros, J. A. Budagosky, A. García-Cristóbal,
A. Vinattieri, M. Gurioli,
S. Founta, E. Bellet-Amalric,
and B. Daudin
Título:
Anisotropic polarization
of non-polar GaN quantum dot
emission
Ref. revista /
Libro: Phys.
Stat. Sol. (c), 1– 4 (2009) / DOI 10.1002/pssc.200880868
Autores (p.o. de firma): J. A. Budagosky, A. García-Cristóbal, A. Cros
Título:
Temperature dependence of the E2h phonon mode of wurtzite GaN/AlN quantum dots
Ref.
revista / Libro: J. Appl.
Phys. 104, 94904 (2008)
Autores (p.o. de firma): T. Angelova, A. Cros, A. Cantarero, D. Fuster, Y.
González, and L. González
Título:
Raman study of
self-assembled InAs/InP
quantum wire stacks with varying spacer thickness
Ref.
revista / Libro: J. Appl.
Phys. 104, 033523 (2008)
Autores (p.o. de firma): Z V Popovi´c, Z Dohˇcevi´c-Mitrovi´c,
A Cros and A Cantarero
Título:
Raman scattering study of the anharmonic
effects in CeO2−y nanocrystals
Ref. revista /
Libro: J. Phys.: Condens. Matter 19, 496209 (2007)
Autores (p.o. de firma): Sergey V. Ovsyannikov,
Vladimir V. Shchennikov, Andres
Cantarero, Ana Cros, Alexander N. Titov
Título:
Raman spectra of (PbS)1.18(TiS2)2 misfit
compound
Ref.
revista / Libro: Mat.
Sci. and Eng. A 462, 422 (2007)
Autores
(p.o. de firma): A. Cros,
N. Garro, A. Cantarero, J. Coraux,
H. Renevier, and B. Daudin
Título:
Raman scattering as a tool for the evaluation of strain in GaN/AlN quantum dots: The
effect of capping
Ref. revista /
Libro: Phys.
Rev. B 76, 165403 (2007)
Autores (p.o. de firma): A. Soukiassian, W. Tian, D. A. Tenne, X. X. Xi, D. G. Schlom,
N. D. Lanzillotti-Kimura, A. Bruchhausen,
A. Fainstein, H. P. Sun,
X.Q. Pan, A. Cros and A. Cantarero
Título:
Acoustic Brag mirrors and cavities made using piezoelectric oxides
Ref. revista /
Libro: Appl. Phys. Lett. 90, 042909 (2007)
Autores (p.o. de firma): J. Fresneda, A.
Cros, J. M. Llorens, A. García-Cristóbal, A. Cantarero, B. Amstatt, E. Bellet-Amalric,
and B. Daudin
Título:
Vibrational modes and strain in GaN/AlN quantum dot stacks: dependence on spacer thickness
Ref. revista /
Libro: Phys. Stat. Sol. c 4,
2342-2345 (2007)
Autores (p.o. de firma): A. Cros,
J. A. Budagosky, N. Garro, A. Cantarero, J. Coraux, H. Renevier, M. G. Proietti, V. Favre-Nicolin,
and B. Daudin
Título:
Evaluation of strain in GaN/AlN quantum dots by means of resonant Raman scattering:
the effect of capping.
Ref. revista /
Libro: Phys. Stat. Sol. c 4,
2379-2382 (2007)
Autores (p.o. de firma): A. Cros,
and F. Pomer
Título:
Phonon dispersion in GaN/AlN non-polar quantum wells: confinement and anisotropy
Ref. revista /
Libro: Phys. Stat. Sol. c 4,
2515-2518 (2007)
Autores (p.o. de firma): N. Garro, A.
Cros, J. M. Llorens, A. García-Cristóbal, A. Cantarero, N. Gogneau, E. Sarigiannidou, E.
Monroy and B. Daudin
Título:
Resonant Raman scattering in self assembled GaN/AlN quantum dots
Ref. revista /
Libro: Phys.
Rev. B 74, 75305 (2006)
Autores (p.o. de firma): A. Cros,
N. Garro, J. M. Llorens, A. García-Cristóbal, A. Cantarero, N. Gogneau, E. Monroy, and B. Daudin
Título:
Raman study and theoretical calculations of strain in GaN quantum dot multilayers
Ref. revista /
Libro: Phys.
Rev. B 73, 115313 (2006)
Autores (p.o. de firma): O. Sancho-Juan,
A. Cantarero, G. Martínez-Criado, D. Olguín, N. Garro, A. Cros, M.
Salomé, J. Susini, S. Dhar,
and K. Ploog
Título:
X-ray absorption near edge spectroscopy at the Mn
K-edge in highly homogeneous GaMnN diluted
magnetic semiconductors
Ref. revista /
Libro: phys. Sat. Sol. (b) 243, 1692
(2006)
Autores (p.o. de firma): A. Cros,
A. Cantarero, N. T. Pelekanos, A. Georgakilas, J. Pomeroy and
M. Kuball
Título:
Resonant Raman characterization of InAlGaN/GaN heterostructures
Ref.
revista / Libro: phys. Sat. Sol. (b) 243, 1674 (2006)
Autores (p.o. de firma): A. Cros,
J. A. Budagosky, A. García-Cristóbal, N. Garro,
A. Cantarero, S. Founta, H. Mariette,
and B. Daudin
Título:
Influence of strain in the reduction of the internal electric field
in GaN/AlN quantum dots
grown on a-plane 6H-SiC
Ref. revista /
Libro: phys. Sat. Sol. (b) 243, 1499
(2006)
Autores (p.o. de firma): D. Jalabert, J. Coraux, H. Renevier, B. Daudin, C. Mann-Ho, C. Kwun-Bum,
D. W. Moon, J. M. Llorens, N. Garro, A. Cros, and A.
García-Cristóbal
Título: Deformation
profile in GaN quantum dots
Ref. revista /
Libro: Phys.
Rev. B 72, 115301 (2005)
Autores (p.o. de firma): N. Garro, A.
Cros, J. A. Budagosky, A. Cantarero, A. Vinattieri, M. Gurioli, S. Founta, H. Mariette and B. Daudin
Título: Reduction of the internal electric
field in wurtzite a-plane GaN
self-assembled quantum dots
Ref. revista /
Libro: Appl. Phys. Lett. 87, 011101 (2005)
Autores (p.o. de firma): G. Herranz, F. Sánchez and J. Fontcuberta,
M. V. García-Cuenca, C. Ferrater and M. Varela,
T. Angelova, A. Cros and A. Cantarero
Título: Domain structure of epitaxial SrRuO3
Thin films.
Ref. revista /
Libro: Phys.
Rev. B 71, 174411 (2005)
Autores (p.o. de firma): N. Garro, A.
Cros, J. M. Llorens, A. García-Cristóbal, A. Cantarero, N. Gogenau, E. Monroy and B. Daudin
Título: Raman study of strain relaxation in GaN/AlN quantum dots
Ref.
revista / Libro: AIP Conf. Proc. 772, 617-618 (2005)
Autores (p.o. de firma): A. Cros,
N. Garro, J. M. Llorens, A. García-Cristóbal, A. Cantarero, N. Gogneau, E. Monroy y B. Daudin
Título:
Raman study of strain in GaN/AlN quantum dot multilayered
structures.
Ref. revista /
Libro: Phys. Sat. Sol. (c) 2, 2328-2331 (2005)
Autores
(p.o. de firma): N. Garro, A. Cros, J. A. Budagosky, A. Cantarero, A.
Vinattieri, M. Gurioli, S. Founta, H. Mariette and B. Daudin
Título: Reduction of the internal electric
field in GaN/AlN
quantum dots grown on the a-plane of SiC
substrates
Ref. revista /
Libro: Phys. Stat. Sol.
(c) 2, 3851-3885 (2005)
Autores (p.o. de firma): A. Cros,
A. Cantarero, D. Beltrán-Porter, J. Oró-Solé, A.
Fuertes
Título: Lattice dynamics of superconducting
zirconium and hafnium nitride halides
Ref. revista /
Libro: Phys.
Rev. B 67, 104502 (2003)
Autores (p.o. de firma): G.
Martínez-Criado, A. Cros, A. Cantarero, O. Ambacher,
C. R. Miskys, R. Dimitrov
y M. Stutzmann
Título: Study of inversion domain pyramids
formed during the Mg:GaN growth
Ref. revista / Libro: Solid
State Electronics 47,
565-568 (2003)
Autores (p.o. de firma): A. Cros,
N. V. Joshi, T. Smith, A. Cantarero, G.
Martínez-Criado, T. Smith, O. Ambacher y M. Stutzmann
Título:
Optical study of gallium and nitrogen polarity layers of GaN grown on sapphire
Ref. revista /
Libro: phys. Sat. Sol. (c) 0,
2699-2702 (2003)
Autores (p.o. de firma): N. V. Joshi, A. Cros, A. Cantarero, H. Medina, O. Ambacher and M. Stutzmann
Título: Role of defect centers
in recombination processes in GaN monocrystals
Ref.
revista / Libro: Applied
Physics Letters 80, 2824-2826 (2002)
Autores (p.o. de firma): G.
Martínez-Criado, C. R. Miskys, A. Cros, O. Ambacher,
A. Cantarero y M. Stutzmann
Título: Photoluminescence study of excitons in homoepitaxial GaN
Ref.
revista / Libro: Journal of
Applied Physics 90, 5627-5631 (2001)
Autores (p.o. de firma): G.
Martínez-Criado, A. Cros, A. Cantarero, O. Ambacher,
C. R. Miskys, R. Dimitrov,
M. Stutzmann, J. Smart and J. R. Shealy
Título: Residual strain effects on the
two-dimensional electron gas concentration of AlGaN/GaN heterostructures
Ref.
revista / Libro: Journal of
Applied Physics 90, 4735-4740 (2001)
Autores (p.o. de firma): G.
Martínez-Criado, A. Cros, A. Cantarero, C. R. Miskys,
O. Ambacher, R. Dimitrov,
M. Stutzmann
Título: Photoluminescence of Ga-face AlGaN/GaN single heterostructures
Ref.
revista / Libro: Materials
Science and Engineering B82, 200-202 (2001)
Autores (p.o. de firma): G.
Martínez-Criado, C. R. Miskys, A. Cros, A.
Cantarero, O. Ambacher y M. Stutzmann
Título: Excitonic
transitions in homoepitaxial GaN
Ref. revista / Libro: phys.stat.sol (b) 228, 497-500 (2001)
Autores (p.o. de firma): G.
Martínez-Criado, A. Cros, A. Cantarero, R. Dimitrov,
O. Ambacher y M. Stutzmann
Título: Optical characterization of Mg-doped
GaN films grown by metalorganic
chemical vapor phase deposition
Ref. revista /
Libro: J. Appl. Phys. 88, 3470-3478
(2000)
Autores (p.o. de firma): A. Cros,
R. Pérez-Álvarez, A. Cantarero y F. García Moliner
Título: Macroscopic and microscopic study of
the planar vibrational mode coupling
Ref. revista /
Libro: Phys. Stat. Sol. (b) 215,
449-457 (1999)
Autores (p.o. de firma): C. Ulrich, A. Cros, A. Cantarero, K. Syassen y M. Cardona
Título: Lattice phonon modes of the
high-pressure phase CuCl-IV
Ref. revista /
Libro: Phys.
Rev. B 60, 9410-9415 (1999)
Autores (p.o. de firma): C. Ulrich, A. Göbel, K. Syassen, M. Cardona, A. Cros y A. Cantarero
Título: Raman Scattering in CuCl under pressure
Ref.
revista / Libro: Phys. Stat. Sol. (b) 211,
287-292 (1999)
Autores (p.o. de
firma): A. Cros, H. Angerer,
O. Ambacher y M. Stutzmann
Título:Raman study of the optical phonon modes in
MBE AlGaN layers
Ref. revista /
Libro: Solid
Stat. Commun. 104, 35-39 (1997)
Autores (p.o. de
firma): A. Cros, H. Angerer,
R. Handschuh, O. Ambacher
y M. Stutzmann
Título:Raman characterization of the optical
phonons in AlGaN layers grown by MBE and MOCVD
Ref.
revista / Libro: MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor
Research. 2, 43-51 (1997)
Autores (p.o. de
firma): M. Stutzmann, O. Ambacher,
A. Cros, M. S. Brandt, H. Angerer, R. Dimitrov, N. Reinacher, T. Metzger, R. Hopler,
D. Brunner, F. Freudenberg, R. Handschuh y C. Deger.
Título: Properties and applications of MBE
grown AlGaN
Ref.
revista / Libro: Materials
Science and Engineering b. Solid State Materials for Advanced Technology
50, 212-218 (1997)
Autores (p.o. de
firma): A. Cros, R. Dimitrov,
H. Angerer, O. Ambacher,
M. Stutzmann, S. Christiansen, M. Albrecht y H.
P. Strunk
Título: Influence of magnesium doping on the
structural properties of GaN layers
Ref.
revista / Libro: Journal
of Crystal Growth 181, 197-203 (1997)
Autores (p.o. de firma): A. Cros,
A. Cantarero, V. Belitsky
Título: Two phonon magneto-Raman scattering
in quantum wells: Fröhlich interaction
Ref. revista /
Libro: Phys. Stat. Sol.
(b) 198, 653-664 (1996)
Autores (p.o. de firma): A. Cros,
A. Cantarero y V. Belitsky
Título: Second order resonant Raman
scattering in semiconductor quantum wells under high magnetic fields.
Ref. revista / Libro:
Sol.
State Electron. 40,
715-718 (1996)
Autores (p.o. de firma): L. Viña, J. M.
Calleja, A. Cros, A. Cantarero, T. Berendschot,
J. A. A. J. Peremboom y K. Ploog
Título: Role of excitons
in double Raman resonances in GaAs quantum wells
Ref. revista /
Libro: Phys.
Rev. B 53, 3975-3982 (1996)
Autores (p.o. de firma): L. Viza, J. M. Calleja, A. Cros, A. Cantarero, T.
T. J. M. Berendschot, J. A. A. J. Perenboom, K. Ploog
Título:Magneto-Raman scattering in
quantum wells: excitonic effects
Ref. revista / Libro: Physica B 211, 447 (1995)
Autores (p.o. de firma): A. Cros, T. Ruf, J. Spitzer, M. Cardona, K. Ploog
y A. Cantarero
Título:Magneto-Raman scattering in GaAs/AlAs multiple quantum
wells
Ref. revista /
Libro: Phys.
Rev. B 50, 2325-2332 (1994)
Autores (p.o. de firma): A. Cros,
A. Cantarero, C. Trallero-Giner y M. Cardona
Título: Raman scattering in quantum wells: Fröhlich interaction.
Ref. revista /
Libro: Phys.
Rev. B 46, 12627-12634 (1992)
Autores (p.o. de firma): D. Broido, A. Cros y U. Rössler
Título: Theory of holes in quantum dots.
Ref. revista /
Libro: Phys.
Rev. B (RP) 45, 11395-11398 (1992)
Autores (p.o. de firma): A. Cros,
A. Cantarero, C. Trallero-Giner y M. Cardona
Título: Resonant Raman scattering in quantum
wells in high magnetic fields: deformation potential interaction.
Ref. revista /
Libro: Phys.
Rev. B 45, 6106-6117 (1992)
Autores (p.o. de firma): A. Cros,
A. Cantarero, C. Trallero-Giner y M. Cardona
Título: Resonant Raman scattering in quantum
wells under high magnetic fields
Ref. revista /
Libro: Helv. Phys. Acta
65, 343-344 (1992)
Autores (p.o. de firma): A. R. Goñi, K. Syassen, Y. Zhang,
K. Ploog, A. Cantarero y A. Cros
Título: Pressure dependence of the exciton absorption and the electronic subband structure of a GaInAs-AlInAs
multiple quantum-well system
Ref. revista /
Libro: Phys.
Rev. B 45, 6809-6818 (1992)
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