La recerca al Grup d'Espectroscòpia de Sòlids (GES) es fonamentalment
orientada dins de l'àrea de propietats òptiques de semiconductors,
particularment nitrurs semiconductors.
El projecte més important en aquests moments consisteix en la
caracterització de nanoestructures de nitrur de gal·li orientades
a la fabricació de diodes electroluminiscents (LEDs) i làsers d'ultravioleta.
Notícies
10/09/04
La propera Conferència Internacional de Física de semiconductors a altes pressions
(HPSP12), una conferència satél·lite de la Conferència Internacional de Física
de Semiconductors (ICPS), tindrà lloc a Barcelona (del 2 al 5 d'Agost de 2006).
La Conferència principal, la ICPS28, tindrà lloc a Viena, Austria (fins de juliol de 2006).
[+]
Totes les notícies
INFORMACIÓ GENERAL
