Los átomos metálicos
están en el cristales como iones.
Los electrones restantes rodean a
los iones, minimizando la RIE
Quedan libres para moverse en el
cristal: conductividad.
Pueden absorber radiación
de cualquier energía: opacidad.
Las capas de iones pueden deslizarse
entre si, sin que haya fuerzas repulsivas adicionales.
Modelo de bandas.
N orbitales atómicos forman
N orbitales moleculares.
Las diferencias de energía
entre estos N o.m. es muy pequeña.
Se habla de una banda con capacidad
para 2N electrones. Banda 2s de valencia.
Los electrones en esta banda estan
deslocalizados a todo el cristal.
Las bandas semiocupadas conducen;
las completas no.
Los electrones de los átomos
metálicos ocupan los niveles mas bajos de la banda.
N átomos aportan N electrones
que se sitúan en los N/2 niveles de más baja energía.
Los electrones se excitan con facilidad
a niveles vacíos y se mueven en el cristal.
El Li es conductor ya que la banda
2s es de valencia y de conducción.
En Be, 2s2, la banda de
valencia está llena.
Los orbitales 2p generan la banda
2p, vacía, que se solapa con la de valencia 2s.
El Be es conductor por la utilización
de la banda 2p. Banda de valencia
Conductor: material con bandas parcialmente
ocupadas o solapadas (a,b).
Semiconductor: material con una banda
vacía a valores de energía ligeramente más altos que la
banda totalmente ocupada (c)
Aislador: material con bandas completamente
llenas y vacías muy separadas (d).
Un conductor metálico disminuye
la conductividad con la temperatura.
Un semiconductor aumenta la conductividad
con la temperatura.
CdS tiene propiedades de semiconductor
y es amarillo.
La luz blanca y uv hace que electrones
de banda valencia salten a la de conducción(Figura e).
Solo la luz azul violeta o UV tiene
energía suficiente para que se produzca la excitación (DE < hn). La luz que refleja es así amarilla.
Si la separación es menor GaAs
todas las radiaciones visibles tienen (DE < hn ) suficiente energía y se
absorben. La luz reflejada es negra.
Son semiconductores intrínsecos.
Otros materiales se convierten en
semiconductores extrínsecos al estar dopados.
La presencia de pequeñas cantidades
P(3s23p3) en el Si(3s23p2),
introduce un exceso de electrones que se sitúan en un nivel
de energía
intermedio. Facilitan la promoción de electrones a la capa de conducción.
Tipo n
La introducción de Al (3s23p1)
en el Si(3s23p2), genera un nivel de energía
vacío por encima de la banda de valencia y genera hueco en ésta
por promoción de electrones. Tipo p.
Una célula fotoeléctrica:
dos semiconductores n-p unidos.
La irradiación promueve electrones
en el semiconductor-p que migran al semiconductor-n y generan una corriente
eléctrica.