Grupo de Semiconductores y Condiciones Extremas

Líneas de investigación

Muestra de tántalo a 3250 K
en una celda de diamante
Coexistencia de tres fases
en ZnSe0.8Te0.2 a 10.5 GPa

Resultados
Recientes


  • Semiconductores de gap ancho para la optoelectrónica ultravioleta (ZnO, ZnMgO, delafositas)

    • Preparación de capas delgadas por ablación láser (PLD)
    • Caracterización óptica (absorción, reflectividad, luminiscencia)
    • Dopado y propiedades de transporte

  • Superficies e interfases

    • Fotoemisión en sistemas metal/semiconductor (XPS, UPS, ARUPS, PED)
    • Superficie de Fermi en sistemas 2D
    • Estructura de bandas de semiconductores (ARUPS)

  • Semiconductores bajo altas presiones

    • Estructura electrónica bajo altas presiones
      • Propiedades ópticas y de transporte bajo presión
      • Fases de alta presión y fases metaestables
    • Dinámica de la red bajo altas presiones
      • Efecto Raman y absorción infrarroja bajo altas presiones
    • Estructura cristalina bajo altas presiones
      • Difracción y absorción de RX
      • Ecuaciones de estado
      • Diagramas de fase estructurales

  • Materiales en condiciones extremas

    • Altas temperaturas bajo altas presiones: calentamiento láser en celda de diamante
    • Curvas de fusión bajo altas presiones
    • Diagramas de fase estructurales a altas presiones y temperaturas