Dr. Marcel S Claro es investigador Ramón y Cajal en la Universitat de València, especializado en física de semiconductores, epitaxia y dispositivos electrónicos y optoelectrónicos avanzados. Obtuvo su doctorado en la Universidad de São Paulo (Brasil), donde trabajó en fotodetectores infrarrojos basados en pozos cuánticos y puntos cuánticos de semiconductores III–V, incluyendo el desarrollo de nuevos sistemas de puntos cuánticos de alta densidad y submonocapa, así como un prototipo de circuito integrado de lectura (ROIC) que permitió la integración con detectores en el infrarrojo medio.
Posteriormente, ocupó posiciones de investigación en el City College of New York (EE. UU.), donde se centró en la epitaxia de semiconductores II–VI, dispositivos infrarrojos híbridos y demostró el primer crecimiento epitaxial de puntos cuánticos de aislantes topológicos. Más tarde, en el International Iberian Nanotechnology Laboratory (INL, Portugal), estableció una nueva línea de investigación en materiales bidimensionales como GaSe, InSe e In₂Se₃, siendo pionero en el desarrollo de sus heteroestructuras y en su integración en dispositivos. Asimismo, contribuyó al área de la espintrónica, trabajando en la deposición de uniones túnel magnéticas y en el desarrollo de dispositivos de memoria neuromórfica.
Entre 2022 y 2025 fue investigador distinguido en la Universidade de Santiago de Compostela (España), donde centró su trabajo en el transporte térmico en películas delgadas y en la epitaxia de óxidos mediante deposición por láser pulsado. Sus líneas de investigación actuales incluyen el crecimiento epitaxial de materiales complejos, sistemas de baja dimensionalidad y el desarrollo de dispositivos electrónicos, fotónicos y neuromórficos de nueva generación.