Familiarització de l'alumne amb les característiques de commutació del transistor MOSFET de potència. Obtenció experimental de les característiques del procés de commutació amb diversos circuits de disparo.
1.1.- Ajusteu el generador de funcions a una freqüència de 50kHz, duty 20% (o el més pròxim possible a aquest valor), ajusteu el nivell de continua (offset) i l'amplada per conseguirVH= 10V iVL= 0V .1.2.- Dissenyeu Rg i monteu el circuit de la figura 2.
1.3.- Sense connectar la alimentació observeu la forma d'ona de tensió a la porta i mesureu el temps de pujada i baixada. Re-dissenyeu Rg si escau.
1.4.- Limiteu el corrent de la font d'alimentació a 1A. Connecteu la alimentació al circuit i mesureu ton , toff i calculeu la potència dissipada a les transicions a on i a off.
1.5.- Ajusteu de nou l'offset i la amplada del generador de funcions per a obtindre uns
VH= 10V iVL= -5V . Repetiu les mesures dels punts 1.3 i 1.4.NOTA: ton vindrà definit des del flanc positiu de la tensió de porta fins al 10% de la tensió drain-source; toff , equivalentment, des del flanc negatiu de la tensió de porta fins al 90% de la tensió drain-source.
.
2.1.- Monteu el circuit de la figura 3.2.2.- Repetiu les mesures dels punts 1.3 i 1.4.
3.1.- Presentar individualment una memòria explicativa de la pràctica.3.2.- Expliqueu a què és degut l'escaló que es pot observar en la tensió de porta.
3.3.- De quins paràmetres dependran les perdues de disparo (potència consumida per "conduir" la porta)?
3.4.- Dissenyeu un circuit de disparo per a MOSFETs amb aïllament galvànic.
3.5.- Afegir les sugerències escaients per millorar la pràctica.
| Bibliografia: |
|
Power Electronics: Converters, applications and design. Mohan, Underland, Robbins John Wiley and Sons. ISBN: 0-471-50537-4 |
 Datasheets: |
| NOTES: 1.- Cada grup és responsable de retornar la bolsa amb placa, cables i sondes en el mateix estat que li va ser entregada. 2.- No es permet fumar dins del laboratori. 3.- No es permet l'ús de walkmans durant la clase. |