Grupo de Semiconductores y Condiciones Extremas
Líneas de investigación
Muestra de tántalo a 3250 K
en una celda de diamante
Coexistencia de tres fases
en ZnSe
0.8
Te
0.2
a 10.5 GPa
Resultados
Recientes
Semiconductores de gap ancho para la optoelectrónica ultravioleta (ZnO, ZnMgO, delafositas)
Preparación de capas delgadas por ablación láser (PLD)
Caracterización óptica (absorción, reflectividad, luminiscencia)
Dopado y propiedades de transporte
Superficies e interfases
Fotoemisión en sistemas metal/semiconductor (XPS, UPS, ARUPS, PED)
Superficie de Fermi en sistemas 2D
Estructura de bandas de semiconductores (ARUPS)
Semiconductores bajo altas presiones
Estructura electrónica bajo altas presiones
Propiedades ópticas y de transporte bajo presión
Fases de alta presión y fases metaestables
Dinámica de la red bajo altas presiones
Efecto Raman y absorción infrarroja bajo altas presiones
Estructura cristalina bajo altas presiones
Difracción y absorción de RX
Ecuaciones de estado
Diagramas de fase estructurales
Materiales en condiciones extremas
Altas temperaturas bajo altas presiones: calentamiento láser en celda de diamante
Curvas de fusión bajo altas presiones
Diagramas de fase estructurales a altas presiones y temperaturas