La investigación se centra en crecer materiales 2D como grafeno, MoS2 o WS2, sobre sustratos tecnológicamente atractivos y/o reutilizables en forma de capas de alta calidad y con homogeneidad en grandes áreas, de manera que puedan tener aplicación directa en la industria electrónica con procedimientos sostenibles y a precios competitivos. Para ello utilizaremos las técnicas de Molecular Beam Epitaxy (MBE) y Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD).
El proyecto tiene como objetivo desarrollar técnicas escalables para la incorporación del grafeno y otros materiales bidimensionales (2D) en dispositivos microelectrónicos, impulsando su transición desde la investigación básica hacia aplicaciones industriales. Para ello, se propone el crecimiento controlado de grafeno y dicalcogenuros metálicos (como MoS₂) mediante epitaxia de haz molecular (MBE) y deposición química en fase de vapor asistida por plasma (PECVD), evaluando su integración en transistores, diodos y sensores Hall de alto rendimiento.
La iniciativa, liderada por el Instituto de Ciencia Molecular (ICMol) en colaboración con Grafenano, busca optimizar materiales semiconductores 2D sostenibles y de bajo coste, establecer patentes sobre nuevos métodos de síntesis y fabricación, y generar prototipos funcionales con impacto directo en la industria electrónica post-CMOS y en tecnologías de potencia, detección y espintrónica.
El proyecto tiene como objetivo desarrollar técnicas escalables para la incorporación del grafeno y otros materiales bidimensionales (2D) en dispositivos microelectrónicos, impulsando su transición desde la investigación básica hacia aplicaciones industriales. Para ello, se propone el crecimiento controlado de grafeno y dicalcogenuros metálicos (como MoS₂) mediante epitaxia de haz molecular (MBE) y deposición química en fase de vapor asistida por plasma (PECVD), evaluando su integración en transistores, diodos y sensores Hall de alto rendimiento.
La iniciativa, liderada por el Instituto de Ciencia Molecular (ICMol) en colaboración con Grafenano, busca optimizar materiales semiconductores 2D sostenibles y de bajo coste, establecer patentes sobre nuevos métodos de síntesis y fabricación, y generar prototipos funcionales con impacto directo en la industria electrónica post-CMOS y en tecnologías de potencia, detección y espintrónica.
Acrónimo
P1
Código referencia
TSI-069100-2023-0012
Descripción
Actividades principales
- Crecimiento y caracterización de grafeno epitaxial y otros materiales 2D semiconductores mediante MBE. Con esta técnica se busca producir grafeno de alta calidad y desarrollar materiales 2D intrínsecamente semiconductores (e.g. MoS2) escalables a procesos industriales.
- Crecimiento con la técnica PECVD de grafeno y otros materiales 2D sobre sustratos reutilizables y comparación con los resultados obtenidos utilizando la técnica MBE. Evaluación del coste versus rendimiento.
- Fabricación de dispositivos prototipo y desarrollo de productos:
- Transistor de grafeno semiconductor y de materiales 2D
- Diodos (e.g. MoS2/SiC) compatibles con electrónica de alta potencia
- Sensor Hall hecho de grafeno epitaxial
- Formación de personal investigador predoctoral y postdoctoral.
Desarrolla el proyecto
Instituto de Ciencia Molecular (ICMOL)
Investigadores principales:
- Coronado Miralles, Eugenio
- PDI-Catedratic/a d'Universitat
- Director/a Titulacio Master Oficial
- Director/a d' Institut Universitari
Fecha de inicio
2023
Septiembre
Fecha de fin
2026
Junio
Entidades financiadoras:
Ministerio para la Transformación Digital y de la Función Pública, Plan de recuperación, transformación y resiliencia de la Unión Europea, «Unión Europea - NextGenerationEU»
Subvención en el marco del Plan de Recuperación, Transformación y Resiliencia Europeo, financiado por la UE, NextGenerationEU.
Proyecto financiado por la Secretaría de Estado de Telecomunicaciones e Infraestructuras Digitales. Referencia TS-069100-2023-0012.
Entidades colaboradoras:
GRAPHENANO, S.L.
Tipo proyecto
- UE - NextGenerationEU
