La investigación se centra en crecer materiales 2D como grafeno, MoS2 o WS2, sobre sustratos tecnológicamente atractivos y/o reutilizables en forma de capas de alta calidad y con homogeneidad en grandes áreas, de manera que puedan tener aplicación directa en la industria electrónica con procedimientos sostenibles y a precios competitivos. Para ello utilizaremos las técnicas de Molecular Beam Epitaxy (MBE) y Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD).
El proyecto tiene como objetivo desarrollar técnicas escalables para la incorporación del grafeno y otros materiales bidimensionales (2D) en dispositivos microelectrónicos, impulsando su transición desde la investigación básica hacia aplicaciones industriales. Para ello, se propone el crecimiento controlado de grafeno y dicalcogenuros metálicos (como MoS₂) mediante epitaxia de haz molecular (MBE) y deposición química en fase de vapor asistida por plasma (PECVD), evaluando su integración en transistores, diodos y sensores Hall de alto rendimiento.
La iniciativa, liderada por el Instituto de Ciencia Molecular (ICMol) en colaboración con Grafenano, busca optimizar materiales semiconductores 2D sostenibles y de bajo coste, establecer patentes sobre nuevos métodos de síntesis y fabricación, y generar prototipos funcionales con impacto directo en la industria electrónica post-CMOS y en tecnologías de potencia, detección y espintrónica.