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TSI-069100-2023-0012
Este proyecto contiene dos acciones primordiales, por un lado, la formación de un investigador especializado en el campo de los sensores de imagen infrarroja para aplicaciones biomédicas, de inspección, vigilancia, astronomía, imagen aérea/satélite, etc. La segunda acción consistirá en la investigación industrial relativa al desarrollo de tales sensores de imagen, que se basarán en fotodiodos p-i-n con sensibilidad en la región espectral del infrarrojo 1.2-1.6 μm, los cuales se integrarán en un circuito integrado de lectura (ROIC) basado en tecnología CMOS de silicio.
En dicha región espectral, los semiconductores IV-VI, como PbS, PbSe y PbTe (así como los basados en mercurio) en forma de puntos cuánticos (QDs), son los materiales de referencia más usados hasta la fecha. Los QDs se definen por el confinamiento cuántico por tamaño al reducir éste por debajo del radio de Bohr excitónico del semiconductor masivo.
Los QDs coloidales se pueden obtener fácilmente mediante química húmeda utilizando el método de inyección en caliente con propiedades ópticas razonablemente buenas para aplicaciones optoelectrónicas. Sin embargo, los QDs de los semiconductores aludidos contienen plomo o mercurio, que son elementos tóxicos y, por tanto, no está permitido para aplicaciones biomédicas, optoelectrónicas y de electrónica de consumo.
Por este motivo, el segundo objetivo importante del presente proyecto será el uso de semiconductores I-VI (Ag2S, Ag2Se, Ag2Te) y III-V (InAs, InAsP, InAs/InP) como alternativa a los QDs basados en Pb para la Fabricación de fotodiodos de heterounión p-i-n, que posteriormente se integrarán en un ROIC de silicio, como base para la fabricación de sensores de imagen NIR-SWIR eficientes en la región infrarroja de longitudes de onda de 1.2-1.6 μm.
infrarrojos, semiconductores sin plomo
- Martinez Pastor, Juan Pascual
- PDI-Catedratic/a d'Universitat
- Director/a d' Institut Universitari
Ministerio para la Transformación Digital y de la Función Pública, Plan de recuperación, transformación y resiliencia de la Unión Europea, «Unión Europea - NextGenerationEU»
Subvención en el marco del Plan de Recuperación, Transformación y Resiliencia Europeo, financiado por la UE, NextGenerationEU.
Proyecto financiado por la Secretaría de Estado de Telecomunicaciones e Infraestructuras Digitales. Referencia TS-069100-2023-0012.
ams-OSRAM INTERNATIONAL GMBH
- UE - NextGenerationEU
