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P7. Caracterización de detectores de píxeles e identificación de defectos en materiales base semiconductores usando técnicas no invasivas de escaneado láser

Los detectores de rayos X basados en conteo de fotones están siendo gradualmente integrados en la última generación de sistemas de diagnóstico médico, inspección industrial y seguridad. Estos detectores se componen de dos tipos de dispositivos pixelados semiconductores interconectados entre sí: un sensor y un chip contador de fotones.
Acrónimo

P7

Código referencia

TSI-069100-2023-0012

Descripción

Los detectores de rayos X basados en conteo de fotones están siendo gradualmente integrados en la última generación de sistemas de diagnóstico médico, inspección industrial y seguridad. Estos detectores se componen de dos tipos de dispositivos pixelados semiconductores interconectados entre sí: un sensor y un chip contador de fotones.

Las aplicaciones que requieren la detección de fotones de alta energía necesitan sensores de alto número atómico basados en, por ejemplo, compuestos semiconductores II-VI o materiales con estructura de Perovskita. Las propiedades fundamentales y técnicas de fabricación de estos materiales son menos conocidas que aquellas de semiconductores como el silicio o el germanio, tradicionalmente utilizados en la industria microelectrónica.

La relativa falta de madurez de los procesos de crecimiento y microfabricación de estos materiales (e.g. CdTe, CdZnTe, Pb-Perovskitas) resulta en procesos de bajo rendimiento y alto coste económico. Defectos relacionados con el estrés acumulado durante el crecimiento, falta de homogeneidad en las propiedades de transporte, altas corrientes de fuga son comúnmente asociados a problemas acaecidos durante el proceso de producción del sensor. Por estos motivos, es necesaria una evaluación de calidad antes y durante el complejo proceso de fabricación del detector.

A la hora de escalar el volumen de producción de estos sensores de alto número atómico, se

necesita un conocimiento profundo de sus propiedades fundamentales. En particular, a la hora de controlar los costes de producción, se han de desarrollar herramientas y procedimientos de metrología para realizar un seguimiento de las propiedades más críticas del sensor en cada paso de la línea de producción.

Desarrolla el proyecto
Instituto de Física Corpuscular (IFIC)
Cátedra de Materiales Avanzados para la Industria de Semiconductores y Circuitos Integrados
Investigadores principales:
  • Mariñas Pardo, Carlos
Ver ficha
Fecha de inicio
2023 Septiembre
Fecha de fin
2027 Junio
Entidades financiadoras:

Ministerio para la Transformación Digital y de la Función Pública, Plan de recuperación, transformación y resiliencia de la Unión Europea, «Unión Europea - NextGenerationEU»

Subvención concedida por el Ministerio para la Transformación digital y de la Función Pública para la creación de cátedras universidad-empresa (Cátedras Chip)

Subvención en el marco del Plan de Recuperación, Transformación y Resiliencia Europeo, financiado por la UE, NextGenerationEU.

Proyecto financiado por la Secretaría de Estado de Telecomunicaciones e Infraestructuras Digitales. Referencia TS-069100-2023-0012.

Entidades colaboradoras:

DECTRIS Ltd

DECTRIS

Tipo proyecto
  • UE - NextGenerationEU