Caracterización mediante las técnicas de difracción de rayos X de alta resolución (HRXRD), difracción múltiple de rayos X (XRMD), microscopia de barrido (SEM), microscopia de transmisión de alta resolución (HRTEM). Los materiales analizados pueden ser en volumen, en forma de capas o nanoestructures.
Crecimiento de materiales mediante las técnicas de: Bridgman, transporte de zona caliente (THM), deposición en fase vapor (PVD), deposición en fase química de organometàlics (MOCVD), espray pirólisis (SP). Actualmente se realizan crecimientos de diferentes tipos de óxidos (CdO, MgO, ZnO y alliatges).
Preparación y caracterización de materiales y nanomateriales de naturaleza química diversa y controlada (composición, tamaño y forma), y con propiedades eléctricas, magnéticas, ópticas, térmicas, mecánicas y químicas, entre otras, de interés aplicado.
El objetivo es desarrollar métodos semiempíricos multiescalares para el diseño y la modelización de nanoestructuras semiconductoras. Nuestro objetivo es demostrar que las implementaciones adecuadas de los métodos empíricos son capaces de ofrecer nuevos niveles de comprensión y diseño tanto de materiales como de dispositivos.
