UNIVERSITAT DE VALÈNCIA

Enginyeria Tècnica de Telecomunicacions, Esp. Sistemes Electrònics.

LABORATORI DE COMPONENTS SEMICONDUCTORS DE POTÈNCIA.

MÒDUL: 7243
CURS ACADÈMIC: 1999-2000
QUADRIMESTRE: primer
DEPARTAMENT: Departament d'Informàtica i Electrònica
PROFESSOR DE CONTACTE: Jesús Maicas i Martí
CRÈDITS: 3 de laboratori
TITULACIÓ: Enginyeria Tècnica de Telecomunicacions, Esp. Sistemes Electrònics.
CARÀCTER: optativa
CURS RECOMANAT: 3er


[ Llistats i avaluació ]

OBJECTIUS:

Es pretén que l'alumne esdevingui familiar amb els conceptes fonamentals relacionats amb els components actius tractats en la assignatura. Es verificaràn experimentalment paràmetres característics dels dispositius i els seu funcionament.

TEMARI:

1. Diode de unió i schottky.
Familiarització de l'alumne amb les característiques de commutació del diode de potència. Caracterització de la tensió de polarització directa. Estudi dels transitoris a tall i conducció.
Datasheets: 1N4007, BYV43=MBR2545, BYV96

2. Tiristors i triacs.
Familiarització de l'alumne amb el comportament del tiristor. Disparo i tall forçat del tiristor.
Datasheets: BT151

3. Comportament lineal del Transistor Bipolar.
Familiarització de l'alumne amb el comportament del transistor bipolar traballant en mode lineal.
Datasheets: BD243/244, BDX33/34, BDX53/54

4. El Transistor Bipolar en commutació.
Familiarització de l'alumne amb les característiques de commutació de transistor bipolar de potència. Mesures dels temps a on i off. Influencia dels drivers al disparo.
Datasheets: BD243/244, BDX33/34, BDX53/54, BC547, BC558

5. Comportament lineal del Transitor Mosfet.
Familiarització de l'alumne amb el comportament del transistor MOSFET traballant en mode lineal.
Datasheets: BUZ10

6. El Transistor Mosfet en commutació.
Familiarització de l'alumne amb les característiques de commutació del transistor MOSFET de potència. Obtenció experimental de les característiques del procés de commutació amb diversos circuits de disparo.
Datasheets: BUZ10, BC547, BC558

7. El Transistor IGBT. (pràctica extra)
Familiarització de l'estudiant amb algunes característiques del transistor IGBT.
Datasheets: IRGPH40KD2, IRGPH50KD2, IRGPH50F


BIBLIOGRAFIA BÀSICA:

  • "Power Electronics: Converters, applications and design"
    Mohan, Underland, Robbins. John Wiley and Sons. ISBN: 0-471-50537-4
  • "Switching Power Supply Design"
    Abraham I. Pressman. McGraw-Hill. ISBN: 0-07-050806-2
  • "Materiales y Componentes Electrónicos Activos"
    R. Álvarez Santos. Editorial Ciencia 3, S.A. ISBN: 84-86204-41-0
  • "Electrónica de Potencia: Componentes, circuitos y aplicaciones"
    F.F. Mazda. Editorial Paraninfo. ISBN: 84-283-2168-X
AVALUACIÓ:
La nota final s'obtindrà promitjant tres notes: una corresponent a les memòries de pràctiques (50%), altra corresponent a un exàmen (25%) i l'altra corresponent a l'avaluació per part del professor de l'actitud de l'estudiant al laboratori (25%).
Cada pràctica no assitida o memòria no presentada puntuarà com zero als efectes de computar la nota de les memòries de pràctiques.

[ Normes d'us dels laboratoris ] [ Llistats i avaluació ] [ Comentaris i sugerències ]
17/01/00