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P4. Fotodetectores de rayos-X basados en Perovskitas

Este proyecto impulsa la especialización de un investigador en optoelectrónica aplicada a la instrumentación médica y promueve el desarrollo de nuevas tecnologías para la detección de rayos X. A través de materiales innovadores basados en perovskitas sin plomo y del diseño de fotodiodos avanzados, la iniciativa busca mejorar la sensibilidad y resolución de imagen, reduciendo al mismo tiempo la dosis necesaria de radiación y abriendo el camino a dispositivos más eficientes, flexibles y accesibles.
Acrónimo

P4

Código referencia

TSI-069100-2023-0012

Descripción

Este proyecto contiene dos acciones primordiales:

  1. La formación de un investigador especializado en el campo de la optoelectrónica para instrumentación médica, principalmente la relacionada con los rayos X.
  2. El desarrollo de un proyecto de investigación industrial con impacto futuro que intenta reducir al mínimo la potencia incidente de los rayos X sin sacrificar la sensibilidad y resolución de la imagen con el uso de nuevos escintiladores basados en materiales de estructura perovskita (o derivados) sin plomo y, con mayor potencial, el diseño y fabricación de nuevos fotodiodos p-i-n más allá del silicio, utilizando semiconductores de estructura perovskita sin plomo.

Estas perovskitas sin plomo (diferentes de las utilizadas para los escintiladores) también podrían conducir a la detección directa de fotones de rayos X, como se demostró recientemente con fotodiodos de yoduro de plomo y metilamonio (MAPbI3). Estos fotodiodos pueden incluso fabricarse sobre sustratos flexibles, que pueden ser la base de dispositivos más novedosos y mucho menos costosos para la inspección de materiales e instrumentos de imagen médica.

La formación inicial del investigador especializado comenzará con la medida y análisis de fotodiodos p-i-n comerciales mediante radiación visible, previo al uso de escintiladores de rayos X comerciales.

Paralelamente se desarrollarán nuevos materiales escintiladores basados en perovskitas sin plomo, como las dobles perovskitas de plata y bismuto. Finalmente, se fabricarán nuevos fotodiodos p-i-n utilizando ioduros metálicos de tipo perovskita sin plomo, como FASnI3, por ejemplo, eventualmente combinados con fases 2D para aumentar su estabilidad y la del dispositivo.

Desarrolla el proyecto
Instituto Universitario de Ciencia de los Materiales (ICMUV)
Investigadores principales:
  • Martinez Pastor, Juan Pascual
  • PDI-Catedratic/a d'Universitat
  • Director/a d' Institut Universitari
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Investigadores participantes:
  • Raeyani, Davoud
  • PI-Invest Doct Uv Junior
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Fecha de inicio
2023 Septiembre
Fecha de fin
2027 Junio
Entidades financiadoras:

Ministerio para la Transformación Digital y de la Función Pública, Plan de recuperación, transformación y resiliencia de la Unión Europea, «Unión Europea - NextGenerationEU»

Subvención concedida por el Ministerio para la Transformación digital y de la Función Pública para la creación de cátedras universidad-empresa (Cátedras Chip)

Subvención en el marco del Plan de Recuperación, Transformación y Resiliencia Europeo, financiado por la UE, NextGenerationEU.

Proyecto financiado por la Secretaría de Estado de Telecomunicaciones e Infraestructuras Digitales. Referencia TS-069100-2023-0012.

Entidades colaboradoras:

ams-OSRAM INTERNATIONAL GMBH

ams-OSRAM INTERNATIONAL GMBH

Tipo proyecto
  • UE - NextGenerationEU