University of Valencia logo Logo Chair for Advanced Materials for the Semiconductors and Integrated Circuits Industry Logo del portal

P4. Fotodetectors de raigs X basats en Perovskites

Este projecte impulsa l'especialització d’un investigador en optoelectrònica aplicada a la instrumentació mèdica i promou el desenvolupament de noves tecnologies per a la detecció de raigs X. A través de materials innovadors basats en perovskites sense plom i del disseny de fotodíodes avançats, la iniciativa busca millorar la sensibilitat i resolució de la imatge, reduint al mateix temps la dosi necessària de radiació i obrint el camí a dispositius més eficients, flexibles i accessibles.
Acronym

P4

Reference code

TSI-069100-2023-0012

Description

Este projecte conté dues accions primordials:

  1. La formació d’un investigador especialitzat en el camp de l’optoelectrònica per a instrumentació mèdica, principalment la relacionada amb els raigs X.
  2. El desenvolupament d’un projecte d’investigació industrial amb impacte futur que intenta reduir al mínim la potència incident dels raigs X sense sacrificar la sensibilitat i la resolució de la imatge amb l’ús de nous escintil·ladors basats en materials d’estructura perovskita (o derivats) sense plom i, amb major potencial, el disseny i la fabricació de nous fotodíodes p-i-n més enllà del silici, utilitzant semiconductors d’estructura perovskita sense plom.

Estes perovskites sense plom (diferents de les utilitzades per als escintil·ladors) també podrien conduir a la detecció directa de fotons de raigs X, com es va demostrar recentment amb fotodíodes de iodur de plom i metilamoni (MAPbI3). Estos fotodíodes fins i tot poden fabricar-se sobre substrats flexibles, que poden ser la base de dispositius més innovadors i molt més econòmics per a la inspecció de materials i instruments d’imatge mèdica.

La formació inicial de l’investigador especialitzat començarà amb la mesura i anàlisi de fotodíodes p-i-n comercials mitjançant radiació visible, previ a l’ús d’escintil·ladors de raigs X comercials.

Paral·lelament es desenvoluparan nous materials escintil·ladors basats en perovskites sense plom, com les dobles perovskites de plata i bismut. Finalment, es fabricaran nous fotodíodes p-i-n utilitzant iodurs metàl·lics de tipus perovskita sense plom, com FASnI3, per exemple, eventualment combinats amb fases 2D per a augmentar la seua estabilitat i la del dispositiu.

Developers of the project
Institute of Material Science
Principal investigators:
  • Martinez Pastor, Juan Pascual
  • PDI-Catedratic/a d'Universitat
  • Director/a d' Institut Universitari
View details
Participating researchers:
  • Raeyani, Davoud
  • PI-Invest Doct Uv Junior
View details
Start date
2023 September
End date
2027 June
Funding agencies:

Ministerio para la Transformación Digital y de la Función Pública, Plan de recuperación, transformación y resiliencia de la Unión Europea, «Unión Europea - NextGenerationEU»

Subvención concedida por el Ministerio para la Transformación digital y de la Función Pública para la creación de cátedras universidad-empresa (Cátedras Chip)

Subvención en el marco del Plan de Recuperación, Transformación y Resiliencia Europeo, financiado por la UE, NextGenerationEU.

Proyecto financiado por la Secretaría de Estado de Telecomunicaciones e Infraestructuras Digitales. Referencia TS-069100-2023-0012.

Partners:

ams-OSRAM INTERNATIONAL GMBH

ams-OSRAM INTERNATIONAL GMBH

Project type
  • EU - NextGenerationEU