La investigació se centra a fer créixer materials 2D com grafé, MoS2 o WS2 sobre substrats tecnològicament atractius i/o reutilitzables en forma de capes d’alta qualitat i amb homogeneïtat en grans àrees, de manera que puguen tindre aplicació directa en la indústria electrònica amb procediments sostenibles i a preus competitius. Per a això utilitzarem les tècniques de Molecular Beam Epitaxy (MBE) i Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD).
El projecte té com a objectiu desenvolupar tècniques escalables per a la incorporació del grafé i altres materials bidimensionals (2D) en dispositius microelectrònics, impulsant la seua transició des de la investigació bàsica cap a aplicacions industrials. Per això, es proposa el creixement controlat de grafé i dicalcogenuros metàl·lics (com MoS₂) mitjançant epitàxia de feix molecular (MBE) i deposició química en fase de vapor assistida per plasma (PECVD), avaluant la seua integració en transistors, díodes i sensors Hall d’alt rendiment.
La iniciativa, liderada per l’Institut de Ciència Molecular (ICMol) en col·laboració amb Grafenano, busca optimitzar materials semiconductors 2D sostenibles i de baix cost, establir patents sobre nous mètodes de síntesi i fabricació, i generar prototips funcionals amb impacte directe en l’indústria electrònica post-CMOS i en tecnologies de potència, detecció i espintrònica.

En les darreres dècades han sorgit semiconductors innovadors, des de materials moleculars fins a inorgànics. Alguns d’ells han demostrat propietats que permeten el seu ús en dispositius electrònics avançats com transistors, fotodíodes, díodes emissors de llum i fotovoltaics. En aquest projecte ens centrarem en les perovskites d’halurs metàl·lics, ja que han demostrat excel·lents mobilitats de portadors de càrrega quan es processen en làmines fines. Tanmateix, el processament de semiconductors innovadors es limita a mètodes complicats, costosos i de baixa velocitat, com l’epitaxi de feixos moleculars (“molecular beam epitaxy”) o processos per lots similars utilitzant alt buit.

Este projecte impulsa l'especialització d’un investigador en optoelectrònica aplicada a la instrumentació mèdica i promou el desenvolupament de noves tecnologies per a la detecció de raigs X. A través de materials innovadors basats en perovskites sense plom i del disseny de fotodíodes avançats, la iniciativa busca millorar la sensibilitat i resolució de la imatge, reduint al mateix temps la dosi necessària de radiació i obrint el camí a dispositius més eficients, flexibles i accessibles.

Aquest projecte aborda la formació avançada d'un investigador en l'àmbit dels sensors d'imatge infraroja i, al mateix temps, impulsa el desenvolupament de noves tecnologies per a la detecció a la regió NIR-SWIR. Mitjançant el disseny de fotodíodes p-i-n integrables en circuits CMOS i l'exploració de materials alternatius lliures de plom i mercuri, la iniciativa cerca crear sensors més segurs, eficients i compatibles amb aplicacions biomèdiques, d'inspecció, vigilància i observació científica.

El rendiment quàntic de fotoluminiscencia (PLQY) és un dels paràmetres fotofísicos més importants a l'hora de caracteritzar materials optoelectrònics.

Los detectores de rayos X basados en conteo de fotones están siendo gradualmente integrados en la última generación de sistemas de diagnóstico médico, inspección industrial y seguridad. Estos detectores se componen de dos tipos de dispositivos pixelados semiconductores interconectados entre sí: un sensor y un chip contador de fotones.

Esta propuesta de trabajo consiste en el desarrollo de un sistema láser completo de absorción de dos fotones para caracterización de dispositivos semiconductores y circuitos integrados de semiconductor en tecnología CMOS.