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P8. Sistema láser de absorción no lineal para la inspección integral no invasiva en la producción de semiconductores de tecnología CMOS

Esta propuesta de trabajo consiste en el desarrollo de un sistema láser completo de absorción de dos fotones para caracterización de dispositivos semiconductores y circuitos integrados de semiconductor en tecnología CMOS.
Acrònim

P8

Codi referència

TSI-069100-2023-0012

Descripció

El objetivo del proyecto se centra en el desarrollo de un sistema de caracterización de materiales semiconductores con procedimientos no destructivos y de forma rápida basado en la técnica de corriente transitoria mediante la absorción de dos fotones (TPA-TCT).

El sistema se diseñará para su integración en los procesos de control de calidad de fábricas productoras de chips semiconductores (foundries) y se pondrá en práctica preliminarmente en el análisis y desarrollo de detectores de píxeles de tecnología CMOS de nueva generación

Desenvolupa el projecte
Institut de Física Corpuscular (IFIC)
Paraules clau

CMOS, absorción no lineal

Investigadors principals:
Data d'inici
2024 Maig
Data de finalització
2028 Maig
Entitats finançadores:

Ministerio para la Transformación Digital y de la Función Pública, Plan de recuperación, transformación y resiliencia de la Unión Europea, «Unión Europea - NextGenerationEU»

Subvención concedida por el Ministerio para la Transformación digital y de la Función Pública para la creación de cátedras universidad-empresa (Cátedras Chip)

Subvención en el marco del Plan de Recuperación, Transformación y Resiliencia Europeo, financiado por la UE, NextGenerationEU.

Proyecto financiado por la Secretaría de Estado de Telecomunicaciones e Infraestructuras Digitales. Referencia TS-069100-2023-0012.

Entitats col·laboradores:

FYLA LASER, S.L.

FYLA LASER

Tipus projecte
  • UE - NextGenerationEU