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El proyecto de investigación se centra en la utilización de la impresión tridimensional (impresión 3D) para crear elementos funcionales en dispositivos electrónicos flexibles. La impresión 3D ofrece la capacidad de fabricar componentes personalizados con formas y geometrías específicas, lo que resulta especialmente útil en el ámbito de los dispositivos electrónicos flexibles, donde la flexibilidad y adaptabilidad son características clave.
Acrónimo

PrintFlex

Código referencia

NATO-SPS-G5916

Descripción

La elección de la investigación de compuestos respetuosos con el medio ambiente con conductividades de un electrón (ZnO) y agujero (NiO, СuO, SnS, CZTSSe), permitirá obtener el amplio abanico de estructuras multicapa basadas en su heterounión, aptas para una posterior aplicación en el diseño de una variedad de elementos sensibles de dispositivos electrónicos y optoelectrónicos flexibles.
El enfoque de impresión es el método innovador de bajo coste para producir estructuras de una sola capa y multicapa de alta calidad basadas en nanocristales de óxido y materiales multicomponente que se sintetizarán.

Desarrolla el proyecto
Grupo de Crecimiento Cristalino y Caracterización de Semiconductores (CRECYCSEM)
Investigadores principales:
  • Muñoz Sanjose, Vicente
  • PDI-Catedratic/a d'Universitat
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Investigadores principales no UV

  • Anatoliy Opanasyuk (Sumy State University)

Investigadores participantes:
  • Martinez Tomas, M Del Carmen
  • PDI-Catedratic/a d'Universitat
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  • Agouram Ouhtit, Said
  • PDI-Ajudant Doctor/A
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  • Klymov -, Oleksii
  • PIT-Tecnic/a Sup Uv
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  • Yeste Torregrosa, Javier
  • PIT-Tecnic/a Mitja/Na Uv
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Investigadores participantes no UV

  • Maksym Yermakov (Sumy State University)
  • Roman Pshenychnyi (Sumy State University)
  • Oleksiy Diachenko (Sumy State University)
  • Stanislav Kakherskyi (Sumy State University)
  • Vladyslav Yevdokymenko (Sumy State University)

Contacto

Grup de Creixement Cristal·lí i Caracterització de Semiconductors (CRECYCSEM)

Campus Burjassot/Paterna

C/ Dr. Moliner, 50 46100 Burjassot (València)

Teléfono: 963 543 307 

Correo electrónico: vicente.munoz@uv.es

Fecha de inicio
2022 Enero
Fecha de fin
2024 Diciembre
Entidades financiadoras:

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Resultados

En este proyecto se desarrollarán diferentes enfoques para obtener nanomateriales semiconductores mediante la síntesis de nanopartículas, con el método coloide-poliol, para producir nanotintas mediante la dispersión de las nanopartículas en disolventes respetuosos con el medio ambiente, con el objetivo de depositarlas sobre películas nanoestructuradas mediante la impresión con impresoras 2D y 3D. El trabajo se centrará principalmente en que los prometedores semiconductores СuО, ZnO, NiO, Cu2ZnSn(SxSe1-x)4 y SnS estén abiertos a otros materiales que puedan mostrar su interés en el momento de desarrollar el proyecto.

Para determinar las propiedades de los materiales sintetizados, se realizará el siguiente análisis:

  • Estudios de propiedades estructurales, ópticas y fotoeléctricas, estableciendo la correlación entre ellas.
  • Determinación de la composición química de los nanomateriales y sus estructuras multicapa.
  • Determinación de mecanismos de estructura y formación de fases de los nanomateriales.
  • Estudio de su influencia en sus características ópticas estructuralmente sensibles.
  • Determinación de condiciones físicas y tecnológicas óptimas para la impresión de capas de nanomateriales con propiedades físicas controladas.

Los materiales obtenidos se utilizarían aún más para desarrollar dispositivos para electrónica flexible, optoelectrónica y energía solar.