El projecte té com a objectiu desenvolupar tècniques escalables per a la incorporació del grafé i altres materials bidimensionals (2D) en dispositius microelectrònics, impulsant la seua transició des de la investigació bàsica cap a aplicacions industrials. Per això, es proposa el creixement controlat de grafé i dicalcogenuros metàl·lics (com MoS₂) mitjançant epitàxia de feix molecular (MBE) i deposició química en fase de vapor assistida per plasma (PECVD), avaluant la seua integració en transistors, díodes i sensors Hall d’alt rendiment.
La iniciativa, liderada per l’Institut de Ciència Molecular (ICMol) en col·laboració amb Grafenano, busca optimitzar materials semiconductors 2D sostenibles i de baix cost, establir patents sobre nous mètodes de síntesi i fabricació, i generar prototips funcionals amb impacte directe en l’indústria electrònica post-CMOS i en tecnologies de potència, detecció i espintrònica.
La investigació se centra en el desenvolupament de nous dispositius memristius capaços d’emular la plasticitat sinàptica del cervell humà mitjançant el control químic de la migració iònica en matrius polimèriques i sistemes híbrids amb materials bidimensionals (MoS₂, MXenes, òxids de grafé).
Aquests materials permeten integrar l’emmagatzematge i el processament d’informació en un únic component electrònic, obrint el camí cap a la computació neuromòrfica i la intel·ligència artificial en el bord (Edge AI) per a aplicacions en visió, audició i sensors bioinspirats.
El projecte proposa un enfocament químic i físic-molecular per a dissenyar sinapsis artificials de baix consum, amb aprenentatge ajustable i temps de resposta biològicament rellevants.








