P5

TSI-069100-2023-0012

Este projecte conté dues accions primordials: d’una banda, la formació d’un investigador especialitzat en el camp dels sensors d’imatge infraroja per a aplicacions biomèdiques, d’inspecció, vigilància, astronomia, imatge aèria/satèl·lit, etc. La segona acció consistirà en la investigació industrial relativa al desenvolupament d’aquests sensors d’imatge, que es basaran en fotodíodes p-i-n amb sensibilitat en la regió espectral de l’infraroig 1.2–1.6 μm, els quals s’integraran en un circuit integrat de lectura (ROIC) basat en tecnologia CMOS de silici.

En aquesta regió espectral, els semiconductors IV-VI, com PbS, PbSe i PbTe (així com els basats en mercuri) en forma de punts quàntics (QDs), són els materials de referència més utilitzats fins ara. Els QDs es defineixen pel confinament quàntic per mida en reduir aquesta per davall del radi de Bohr excitònic del semiconductor massiu.

Els QDs col·loïdals es poden obtindre fàcilment mitjançant química humida utilitzant el mètode d’injecció en calent, amb propietats òptiques raonablement bones per a aplicacions optoelectròniques. No obstant això, els QDs dels semiconductors esmentats contenen plom o mercuri, que són elements tòxics i, per tant, no estan permesos per a aplicacions biomèdiques, optoelectròniques i d’electrònica de consum.

Per aquest motiu, el segon objectiu important del present projecte serà el ús de semiconductors I-VI (Ag2S, Ag2Se, Ag2Te) i III-V (InAs, InAsP, InAs/InP) com a alternativa als QDs basats en Pb per a la fabricació de fotodíodes d’heterounió p-i-n, que posteriorment s’integraran en un ROIC de silici, com a base per a la fabricació de sensors d’imatge NIR-SWIR eficients en la regió infraroja de longituds d’ona de 1.2–1.6 μm.

infrarojos, semiconductors sense plom

Ministeri per a la Transformació Digital i de la Funció Pública, Pla de recuperació, transformació i resiliència de la Unió Europea, «Unió Europea - NextGenerationEU»

Subvenció en el marc del Pla de Recuperació, Transformació i Resiliència Europeu, finançat per la UE, NextGenerationEU.

Projecte finançat per la Secretaria d'Estat de Telecomunicacions i Infraestructures Digitals. Referencia TS-069100-2023-0012.

ams-OSRAM INTERNATIONAL GMBH

• UE - NextGenerationEU