L'activitat investigadora del grup se centra en aquests moments en el desenvolupament dels projectes MAT2012-33483 (IP Andrés Cantarero, CSD2010-0044 (Coordinadora Clivia Sotomayor, del ICN) i la ITN Nanowiring (Coordinadora Angela Rizzi, de la Universitat de Göttingen, Alemanya).
En el marc d'aquests projectes estudiem les aplicacions de nanofils semiconductors tant en el camp de l'energia com de la fotònica. Els estudis abasten des del nivell fonamental, mitjançant l'estudi de les seues propietats estructurals, electròniques i optoelectròniques, fins a la seua aplicació en dispositius termoelèctrics, optoelectrònics (en particular cèl·lules solars) o en fotònica integrada.
El suport teòric està orientat al desenvolupament de mètodes semiempírics per al disseny i modelització de nanoestructures semiconductores. S'ha implementat una gran varietat de tècniques que permeten explotar els resultats experimentals existents i els obtinguts per tècniques de primers principis. Els mètodes semiempírics faciliten la sinergia entre la teoria i l'experiment. Aquests mètodes permeten, a més, el disseny de dispositius electrònics i optoelectrònics.
Síntesi i caracterització de polímers conductors, termoestables i termoplàstics.
Dispositius termoelèctrics; dispositius fotònics integrats; mètodes semi-empírics multiescala per a l'estudi de nanoestructures; mètodes ab initio
- Modulació acústica de nanoestructures
Per mitjà d'ones acústiques de superfície controlem dinàmicament: 1) les propietats optoelectròniques de nanoestructures semiconductores com nanofils o punts quàntics, per a emissors de fotons únics i 2) estructures de fotònica integrada, per a realització de dispositius sintonitzables.
- Propietats estructurals, òptiques i electròniques per métodes de primers principis
Obtenció de les propietats físiques mitjançant models de primers principis. Propietats òptiques, magnètiques, electròniques.
- Teoria i modelització de nanoestructures semiconductores
L'objectiu és desenvolupar mètodes semiempírics multiescalars per al disseny i la modelització de nanoestructures semiconductores. El nostre objectiu és demostrar que les implementacions adequades dels mètodes empírics són capaços d'oferir nous nivells de comprensió i disseny tant de materials com de dispositius.
- Síntesi i caracterització de polímers
Síntesi de diversos tipus de polímers (conductors, termoplàstics i termoestables) a partir dels corresponents monòmers. Caracterització de les propietats tèrmiques, mecàniques, reològiques, espectroscòpiques i conductores de dites polímeres.
- Dispositius termoelèctrics
Estudi de materials per a la fabricació de dispositius termoelèctrics, basats en nanoestructures semiconductors (nanofius), polímers i materials híbrids. Mesura de les propietats termoelèctriques, com son l'efecte Seebeck, la conductivitat elèctrica i tèrmica, o la eficiència termoelèctrica.
- CANTARERO SAEZ, ANDRES
- PDI-Emerit/a Universitat
- CANET FERRER, JOSE
- PDI-Prof. Permanent Laboral Ppl
- CULEBRAS RUBIO, MARIO
- Alumn.-Servei de Formacio Permanent
- GALBIATI -, MARTA
- PI-Invest Cont Ramon y Cajal
- GOMEZ CLARI, CLARA M
- PDI-Catedratic/a d'Universitat
- MORAIS DE LIMA MARQUES, MAURICIO
- PDI-Titular d'Universitat
- FERNANDEZ GONZALEZ, PASCUAL
- PIT-Oficial Laboratori Uv
Campus Burjassot/Paterna
C/ Dr. Moliner,50
46100 Burjassot (València)
- CANTARERO SAEZ, ANDRES
- PDI-Emerit/a Universitat