La investigació se centra a fer créixer materials 2D com grafé, MoS2 o WS2 sobre substrats tecnològicament atractius i/o reutilitzables en forma de capes d’alta qualitat i amb homogeneïtat en grans àrees, de manera que puguen tindre aplicació directa en la indústria electrònica amb procediments sostenibles i a preus competitius. Per a això utilitzarem les tècniques de Molecular Beam Epitaxy (MBE) i Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD).
El projecte té com a objectiu desenvolupar tècniques escalables per a la incorporació del grafé i altres materials bidimensionals (2D) en dispositius microelectrònics, impulsant la seua transició des de la investigació bàsica cap a aplicacions industrials. Per això, es proposa el creixement controlat de grafé i dicalcogenuros metàl·lics (com MoS₂) mitjançant epitàxia de feix molecular (MBE) i deposició química en fase de vapor assistida per plasma (PECVD), avaluant la seua integració en transistors, díodes i sensors Hall d’alt rendiment.
La iniciativa, liderada per l’Institut de Ciència Molecular (ICMol) en col·laboració amb Grafenano, busca optimitzar materials semiconductors 2D sostenibles i de baix cost, establir patents sobre nous mètodes de síntesi i fabricació, i generar prototips funcionals amb impacte directe en l’indústria electrònica post-CMOS i en tecnologies de potència, detecció i espintrònica.
El projecte té com a objectiu desenvolupar tècniques escalables per a la incorporació del grafé i altres materials bidimensionals (2D) en dispositius microelectrònics, impulsant la seua transició des de la investigació bàsica cap a aplicacions industrials. Per això, es proposa el creixement controlat de grafé i dicalcogenuros metàl·lics (com MoS₂) mitjançant epitàxia de feix molecular (MBE) i deposició química en fase de vapor assistida per plasma (PECVD), avaluant la seua integració en transistors, díodes i sensors Hall d’alt rendiment.
La iniciativa, liderada per l’Institut de Ciència Molecular (ICMol) en col·laboració amb Grafenano, busca optimitzar materials semiconductors 2D sostenibles i de baix cost, establir patents sobre nous mètodes de síntesi i fabricació, i generar prototips funcionals amb impacte directe en l’indústria electrònica post-CMOS i en tecnologies de potència, detecció i espintrònica.
Acronym
P1
Reference code
TSI-069100-2023-0012
Description
Activitats principals
- Creixement i caracterització de grafé epitaxial i altres materials 2D semiconductors mitjançant MBE. Amb aquesta tècnica es busca produir grafé d’alta qualitat i desenvolupar materials 2D intrínsecament semiconductors (p. ex. MoS2) escalables a processos industrials.
- Creixement amb la tècnica PECVD de grafé i altres materials 2D sobre substrats reutilitzables i comparació amb els resultats obtinguts utilitzant la tècnica MBE. Avaluació del cost versus rendiment.
- Fabricació de dispositius prototip i desenvolupament de productes:
- Transistor de grafé semiconductor i de materials 2D
- Díodes (p. ex. MoS2/SiC) compatibles amb electrònica d’alta potència
- Sensor Hall fet de grafé epitaxial
- Formació de personal investigador predoctoral i postdoctoral.
Developers of the project
Institute of Molecular Science
Principal investigators:
- Coronado Miralles, Eugenio
- PDI-Catedratic/a d'Universitat
- Director/a Titulacio Master Oficial
- Director/a d' Institut Universitari
Start date
2023
September
End date
2026
June
Funding agencies:
Ministerio para la Transformación Digital y de la Función Pública, Plan de recuperación, transformación y resiliencia de la Unión Europea, «Unión Europea - NextGenerationEU»
Subvención en el marco del Plan de Recuperación, Transformación y Resiliencia Europeo, financiado por la UE, NextGenerationEU.
Proyecto financiado por la Secretaría de Estado de Telecomunicaciones e Infraestructuras Digitales. Referencia TS-069100-2023-0012.
Partners:
GRAPHENANO, S.L.
Project type
- EU - NextGenerationEU
