El grup de creixement cristal·lí de la Universitat de València centra la seua activitat en el creixement i la caracterització estructural i morfològica de semiconductors, tant en volum com en forma de capes i nanoestructuras. Esta activitat s'ha exercit fonamentalment en el marc de diferents projectes d'investigació dins de l'àrea de materials per a l'optoelectrònica i l'espintrónica. Els resultats obtinguts s'han plasmat en una significativa contribució acadèmica tant en articles en revistes d'àmplia difusió científica com en congressos i workskops.
L'aproximació al sector tecnològic s'ha realitzat en dos àrees: la d'energia solar i la de sensors d'humitat i infrarojos. Per al desenvolupament d'aquesta activitat investigadora s'ha preparat un laboratori en què s'han instal·lat diferents tècniques de creixement cristal·lí: Bridgman, Physical Vapor Transport, Travelling Heater Method, MOCVD, Esprai Piròlisi, Hidrotermal; així com diferents tècniques de preparació i tractaments post-creixement, la qual cosa aporta una àmplia oferta d'infraestructures i possibilitats de desenvolupament.
En relació amb la caracterització estructural i morfològica, els membres del grup tenen una contrastada experiència en difracció de raigs-X d'alta resolució (HRXRD) i microscòpia electrònica de transmissió d'alta resolució (HRTEM). La correlació de les propietats dels materials amb les condicions de creixement ha permés un millor coneixement dels processos de creixement i defectes estructurals i són l'eix de la part principal del treball del grup. En l'actualitat una bona part de l'activitat està centrada en els òxids de materials del grup II (ZnO, CdO i MgO) així com els seus aliatges.
En aquest marc va estar el lideratge del projecte europeu SOXESS així com l'organització del Symposium IX en l'E-MRS sobre este tema. El grup col·labora de forma regular tant amb grups nacionals (U.Valladolid, U. País Basc, Institut Jaume Almera, (ISOM) UPM, com a estrangers (CNRS-Bellevue, França; Universitat del Warwick, Regne Unit; National Renewable Energy Lab. en Golden, Colorado, EE.UU.).
Creixement cristal·lí i caracterització de materials per a la optoelectrònica UV i l'espintrònica.
- Caracterització estructural
Caracterització mitjançant les tècniques de difracció de rajos X d'alta resolució (HRXRD), difracció múltiple de rajos X (XRMD), microscòpia d'escombratge (SEM), microscòpia de transmissió d'alta resolució (HRTEM). Els materials analitzats poden ser en volum, en forma de capes o nanoestructures.
- Creixement cristal·lí
Creixement de materials mitjançant les tècniques de: Bridgman, transport de zona calenta (THM), deposició en fase vapor (PVD), deposició en fase química d'organometàlics (MOCVD), espray pirólisis (SP). Actualment es realitzen creixements de diferents tipus d'òxids (CdO, MgO, ZnO i alliatges).
- Propietats físiques
Caracterització de propietats físiques, amb especial èmfasi en les propietats òptiques: absorció, fotoluminescència, espectroscòpia Raman.
- MUÑOZ SANJOSE, VICENTE
- PDI-Catedratic/a d'Universitat
- MARTINEZ TOMAS, M DEL CARMEN
- PDI-Catedratic/a d'Universitat
- MUÑOZ SANJOSE, VICENTE
- PDI-Catedratic/a d'Universitat
- MARTINEZ TOMAS, M DEL CARMEN
- PDI-Catedratic/a d'Universitat
- AGOURAM OUHTIT, SAID
- PIT-Tecnic/a Sup Uv
- PDI-Associat/Da Universitari/A
- ATENCIA HENAREJOS, ANTONIA
- PAS-E.T.B. Investigacio
Col·laboradors/es
- Luis Artus Surroca - Consejo Superior de Investigaciones Científicas (Madrid)
- Ramón Cusco Cornet - Consejo Superior de Investigaciones Científicas (Madrid)
- José Ángel García García - Universidad del País Vasco
Campus Burjassot/Paterna
C/ Dr. Moliner, 50
46100 Burjassot (València)
