El grupo de crecimiento cristalino de la Universitat de València centra su actividad en el crecimiento y la caracterización estructural y morfológica de semiconductores, tanto en volumen como en forma de capas y nanoestructuras. Esta actividad se ha ejercido fundamentalmente en el marco de diferentes proyectos de investigación dentro del área de materiales para la optoelectrónica y la espintrónica. Los resultados obtenidos se han plasmado en una significativa contribución académica tanto en artículos en revistas de amplia difusión científica como en congresos y workskops.
La aproximación al sector tecnológico se ha realizado en dos áreas: la de energía solar y la de sensores de humedad e infrarrojos. Para el desarrollo de esta actividad investigadora se ha preparado un laboratorio en que se han instalado diferentes técnicas de crecimiento cristalino: Bridgman, Physical Vapor Transporte, Travelling Heater Method, MOCVD, Espray Pirólisis, Hidrotermal; así como diferentes técnicas de preparación y tratamientos puesto-crecimiento, lo cual aporta una amplia oferta de infraestructuras y posibilidades de desarrollo.
En relación con la caracterización estructural y morfológica, los miembros del grupo tienen una contrastada experiencia en difracción de rayos-X de alta resolución (HRXRD) y microscopia electrónica de transmisión de alta resolución (HRTEM). La correlación de las propiedades de los materiales con las condiciones de crecimiento ha permitido un mejor conocimiento de los procesos de crecimiento y defectos estructurales y son el eje de la parte principal del trabajo del grupo. En la actualidad una buena parte de la actividad está centrada en los óxidos de materiales del grupo II (ZnO, CdO y MgO) así como sus aleaciones.
En este marco estuvo el liderazgo del proyecto europeo SOXESS así como la organización del Symposium IX en la E-MRS sobre este tema. El grupo colabora de forma regular tanto con grupos nacionales (Uno.Valladolid, Uno. País Vasco, Instituto Jaume Almera, (ISOM) UPM, como extranjeros (CNRS-Bellevue, Francia; Universidad del Warwick, Reino Unido; National Renewable Energy Lab. en Golden, Colorado, EE. UU.).
Crecimiento cristalino y caracterización de materiales para la optoelectrónica UV y la espintrónica.
- Caracterización estructural
Caracterización mediante las técnicas de difracción de rayos X de alta resolución (HRXRD), difracción múltiple de rayos X (XRMD), microscopia de barrido (SEM), microscopia de transmisión de alta resolución (HRTEM). Los materiales analizados pueden ser en volumen, en forma de capas o nanoestructures.
- Crecimiento cristalino
Crecimiento de materiales mediante las técnicas de: Bridgman, transporte de zona caliente (THM), deposición en fase vapor (PVD), deposición en fase química de organometàlics (MOCVD), espray pirólisis (SP). Actualmente se realizan crecimientos de diferentes tipos de óxidos (CdO, MgO, ZnO y alliatges).
- Propiedades físicas
Caracterización de propiedades físicas, con especial énfasis en las propiedades ópticas: absorción, fotoluminescencia, espectroscopia Raman.
- MUÑOZ SANJOSE, VICENTE
- PDI-Catedratic/a d'Universitat
- MARTINEZ TOMAS, M DEL CARMEN
- PDI-Catedratic/a d'Universitat
- AGOURAM OUHTIT, SAID
- PIT-Tecnic/a Sup Uv
- PDI-Associat/Da Universitari/A
- ATENCIA HENAREJOS, ANTONIA
- PAS-E.T.B. Investigacio
Colaboradores/as
- Luis Artus Surroca - Consejo Superior de Investigaciones Científicas (Madrid)
- Ramón Cusco Cornet - Consejo Superior de Investigaciones Científicas (Madrid)
- José Ángel García García - Universidad del País Vasco
- ExpandirMARTINEZ TOMAS, M DEL CARMENPDI-Catedratic/a d'Universitat
Campus Burjassot/Paterna
C/ Dr. Moliner, 50
46100 Burjassot (Valencia)
- MUÑOZ SANJOSE, VICENTE
- PDI-Catedratic/a d'Universitat
