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- Materiales optoelectrónicos para emisión ultravioleta B y C: GaN, AlN y sus aleaciones. Estudio de composición, estructura cristalina y polaridad mediante dispersión Raman y Kelvin Probe Force Microscopy (KPFM).

- Polaridad de nanohilos de GaN y sus aleaciones con AlN para emisión ultravioleta B y C.

- Estudio de nano-uniones pn de GaN basadas en nanohilos: propiedades optoelectrónicas en oscuridad y bajo iluminación ultravioleta mediante KPFM.

- Estudio de las propiedades optoelectrónicas de materiales 2D (grafeno, InSe) mediante KPFM combinado con dispersión Raman.

- Propiedades optoelectrónicas de materiales para la energía: materiales basados en grafeno, óxidos metálicos o perovskitas para aplicaciones fotovoltaicas y de almacenamiento de energía. Caracterización multiescala de interfases y superficies.