Grup d'Investigació en Fotònica i Semiconductors

Descripció

El grup FOTÒNICA I SEMICONDUCTORS (VALLEGE) centra la seua activitat investigadora en la preparació i caracterització de dispositius i materials, abastant aspectes fonamentals i el desenvolupament d'aplicacions, principalment en fotònica. El grup s'estructura en tres grans línies d'investigació:

SEMICONDUCTORS I CONDICIONS EXTREMES. Aquesta línia desenvolupa diversos temes de treball, en ciència de materials, units per ús de tècniques espectroscòpiques en condicions extremes (altes pressions i altes temperatures) per a la comprensió de la síntesi, estructura cristal·lina i electrònica dels següents materials:

Semiconductors de gap ample per a aplicacions optoelectròniques, entre ells materials derivats del ZnO i els seus aliatges i delafosites (CuMIIIO2), la preparació dels quals es realitza mitjançant tècniques de deposició en capa prima.
Materials d'interés geofísic pel paper que juguen en la composició de la terra, com el MgO o el quars
Materials per a tecnologies verdes com la fotocatàlisi (vanadats de terres rares) o el segrest de CO2 (zeolites i diferents formes de sílice porosa). L'equip d'aquesta línia s'ha especialitzat en l'ús d'una gran varietat dispositius per a la generació d'altes pressions i temperatures que són usats in-situ en equipaments espectroscòpics de laboratori (absorció òptica, espectroscòpia Raman i FTIR, transport) o en grans instal·lacions de radiació sincrotró, de les quals els seus membres són usuaris assidus.

FIBRES ÒPTIQUES. L'activitat investigadora i tecnològica d'aquesta línia d'investigació se centra en la fabricació de components de fibra òptica, la seua modelització i les seues aplicacions. El Laboratori disposa de quatre tècniques de fabricació de components de fibra òptica fonamentats en:

la fabricació de fibra òptica de cristall fotònic,
l'enregistrament de xarxes de Bragg en fibra,
el muntatge de dispositius acusto-òptics en fibra i
la preparació de fibres òptiques estretes per fusió i estirament. Entre els camps d'aplicació de l'activitat investigadora del laboratori destaquen el desenvolupament de làsers de fibra òptica, noves fonts de llum (pares de fotons, llum blanca d'espectre supercontinu, etc.), sensors i comunicacions òptiques. L'equip de treball del laboratori de fibres òptiques manté col·laboracions estables amb nombrosos grups d'investigació d'Iberoamèrica i Europa, així com una intensa activitat de col·laboració amb empreses i transferència dels resultats d'investigació.

MATERIALS I DISPOSITIUS OPTOELECTRÒNICS treballa en la síntesi químic-física de nanomaterials (nanopartícules metàl·liques, punts quàntics, polímers multi-funcionals), processat d'aquests en forma de capes primes, així com en l'estudi de les seues propietats estructurals, electròniques i òptiques. Aquest treball és el punt de partida per a desenvolupar estructures i dispositius fotònics/plasmònics/optoelectrònics, a més de desenvolupar aplicacions en el camp de sensors, energia fotovoltaica i telecomunicacions. D'altra banda, també s'investiga en les propietats òptiques de punts quàntics III-V a nivell aïllat, entre les quals cal esmentar la naturalesa quàntica de la llum que emeten, el seu origen i control, per la seua futura repercussió en el camp de la computació i les comunicacions quàntiques. Més recentment, es comença a preparar i caracteritzar altres tipus de nanoestructures semiconductores bidimensionals, de gruix atòmic, pel seu gran potencial en la futura nanotecnologia electrònica/optoelectrònica en combinació amb elèctrodes de nanoestructures metàl·liques bidimensionals com el grafé.

Objectius CT

Fabricació de fibres de cristall fotònic i components especials de fibra òptica per a làsers, fonts de llum, sensors i fotònica de microones.
Disseny, fabricació i caracterització de dispositius fotònics/plasmònics per a telecomunicacions i altres aplicacions.
Síntesis i caracterització de materials d'interés optoelectrònic o geofísic mitjançant l'ús de tècniques espectrocòpiques en condicions extremes.

Línies d'investigació

Semiconductors i condicions extremes
Síntesi i investigació de l'estructura cristal·lina i electrònica de semiconductors i materials d'interés geofísic mitjançant tècniques espectroscòpiques en condicions extremes de pressió i temperatura, en laboratori o en grans instal·lacions de radiació sincrotró.
Fibres òptiques
Fabricació de fibres de cristall fotònic i components especials de fibra òptica (xarxes de difracció, dispositius acusto-òptics i fibres estretes), la seua modelització i les seues aplicacions a làsers, fonts de llum basades en efectes no lineals, sensors i fotònica de microones.
Materials i dispositius Optoelectronics
Desenvolupament de nanoestructures semiconductores i polímers poli-funcionals com a base d'estructures fotòniques/ plasmòniques i dispositius. Caracterització estructural-electrònica-elèctrica-òptica de nanomaterials i dispositius. Aplicacions en sensors químics i biosensors, telecomunicacions...

Direcció

ANDRES BOU, MIGUEL VICENTE
PDI-Catedratic/a d'Universitat

Grup d'Investigació en Fotònica i Semiconductors - FOSE