Logo de la Universitat de València Logo Oferta Científic Tecnològica Logo del portal

Descripció

El grup FOTÒNICA I SEMICONDUCTORS (VALLEGE) centra la seua activitat investigadora en la preparació i caracterització de dispositius i materials, abastant aspectes fonamentals i el desenvolupament d'aplicacions, principalment en fotònica. El grup s'estructura en tres grans línies d'investigació:

  1. SEMICONDUCTORS I CONDICIONS EXTREMES. Aquesta línia desenvolupa diversos temes de treball, en ciència de materials, units per ús de tècniques espectroscòpiques en condicions extremes (altes pressions i altes temperatures) per a la comprensió de la síntesi, estructura cristal·lina i electrònica dels següents materials: 
  • Semiconductors de gap ample per a aplicacions optoelectròniques, entre ells materials derivats del ZnO i els seus aliatges i delafosites (CuMIIIO2), la preparació dels quals es realitza mitjançant tècniques de deposició en capa prima.
  • Materials d'interés geofísic pel paper que juguen en la composició de la terra, com el MgO o el quars
  • Materials per a tecnologies verdes com la fotocatàlisi (vanadats de terres rares) o el segrest de CO2 (zeolites i diferents formes de sílice porosa). L'equip d'aquesta línia s'ha especialitzat en l'ús d'una gran varietat dispositius per a la generació d'altes pressions i temperatures que són usats in-situ en equipaments espectroscòpics de laboratori (absorció òptica, espectroscòpia Raman i FTIR, transport) o en grans instal·lacions de radiació sincrotró, de les quals els seus membres són usuaris assidus.
  1. FIBRES ÒPTIQUES. L'activitat investigadora i tecnològica d'aquesta línia d'investigació se centra en la fabricació de components de fibra òptica, la seua modelització i les seues aplicacions. El Laboratori disposa de quatre tècniques de fabricació de components de fibra òptica fonamentats en: 
  • la fabricació de fibra òptica de cristall fotònic, 
  • l'enregistrament de xarxes de Bragg en fibra, 
  • el muntatge de dispositius acusto-òptics en fibra i 
  • la preparació de fibres òptiques estretes per fusió i estirament. Entre els camps d'aplicació de l'activitat investigadora del laboratori destaquen el desenvolupament de làsers de fibra òptica, noves fonts de llum (pares de fotons, llum blanca d'espectre supercontinu, etc.), sensors i comunicacions òptiques. L'equip de treball del laboratori de fibres òptiques manté col·laboracions estables amb nombrosos grups d'investigació d'Iberoamèrica i Europa, així com una intensa activitat de col·laboració amb empreses i transferència dels resultats d'investigació. 
  1. MATERIALS I DISPOSITIUS OPTOELECTRÒNICS treballa en la síntesi químic-física de nanomaterials (nanopartícules metàl·liques, punts quàntics, polímers multi-funcionals), processat d'aquests en forma de capes primes, així com en l'estudi de les seues propietats estructurals, electròniques i òptiques. Aquest treball és el punt de partida per a desenvolupar estructures i dispositius fotònics/plasmònics/optoelectrònics, a més de desenvolupar aplicacions en el camp de sensors, energia fotovoltaica i telecomunicacions. D'altra banda, també s'investiga en les propietats òptiques de punts quàntics III-V a nivell aïllat, entre les quals cal esmentar la naturalesa quàntica de la llum que emeten, el seu origen i control, per la seua futura repercussió en el camp de la computació i les comunicacions quàntiques. Més recentment, es comença a preparar i caracteritzar altres tipus de nanoestructures semiconductores bidimensionals, de gruix atòmic, pel seu gran potencial en la futura nanotecnologia electrònica/optoelectrònica en combinació amb elèctrodes de nanoestructures  metàl·liques bidimensionals com el grafé.
Objectius CT
  • Fabricació de fibres de cristall fotònic i components especials de fibra òptica per a làsers, fonts de llum, sensors i fotònica de microones.
  • Disseny, fabricació i caracterització de dispositius fotònics/plasmònics per a telecomunicacions i altres aplicacions.
  • Síntesis i caracterització de materials d'interés optoelectrònic o geofísic mitjançant l'ús de tècniques espectrocòpiques en condicions extremes.
Línies d'investigació
  • Semiconductors i condicions extremes

    Síntesi i investigació de l'estructura cristal·lina i electrònica de semiconductors i materials d'interés geofísic mitjançant tècniques espectroscòpiques en condicions extremes de pressió i temperatura, en laboratori o en grans instal·lacions de radiació sincrotró.

  • Fibres òptiques

    Fabricació de fibres de cristall fotònic i components especials de fibra òptica (xarxes de difracció, dispositius acusto-òptics i fibres estretes), la seua modelització i les seues aplicacions a làsers, fonts de llum basades en efectes no lineals, sensors i fotònica de microones.

  • Materials i dispositius Optoelectronics

    Desenvolupament de nanoestructures semiconductores i polímers poli-funcionals com a base d'estructures fotòniques/ plasmòniques i dispositius. Caracterització estructural-electrònica-elèctrica-òptica de nanomaterials i dispositius. Aplicacions en sensors químics i biosensors, telecomunicacions...

Personal investigador no UV

Col·laborador/ Col·laboradora

  • Yury Barmenkov - Centre d'Investigacions en Òptica A.C. (México) 
  • Christian Ariel Cuadrado Laborde - Consell Nacional d'Investigacions Científiques i Tècniques (Argentina)
  • Emmanuel Rivera Pérez - Universitat Autònoma de San Luís de Potosí (México) 
  • Aktham Tashtush - Universitat de València 
  • Lorena Velázquez Ibarra - Universitat Autònoma de San Luís de Potosí (México) 

Equip de treball

  • Miguel Bello Jiménez - Universitat Autònoma de San Luís de Potosí (México) 
Estructura asociada
Institut Universitari de Ciència dels Materials (ICMUV)
Dades de contacte del grup
Fotònica i Semiconductors (FOSE)

Campus Burjassot/Paterna

C/ Dr. Moliner,50

46100 Burjassot (València)

963 544 792

Geolocalització

www.uv.es/fose

alfredo.segura@uv.es