Logo de la Universdad de Valencia Logo Vicerrectorado de Investigación, Vicerrectorado de Innovación y Transferencia Logo del portal

Grupo de Crecimiento Cristalino y Caracterización de Semiconductores - CRECYCSEM

Referencia del grupo:

GIUV2013-072

 
Descripción de la actividad investigadora:
El grup de creixement cristal·lí de la Universitat de València centra la seua activitat en el creixement i la caracterització estructural i morfològica de semiconductors, tant en volum com en forma de capes i nanoestructuras. Esta activitat s'ha exercit fonamentalment en el marc de diferents projectes d'investigació dins de l'àrea de materials per a l'optoelectrònica i l'espintrónica. Els resultats obtinguts s'han plasmat en una significativa contribució acadèmica tant en articles en revistes d'àmplia difusió científica com en congressos i workskops. L'aproximació al sector tecnològic s'ha realitzat en dos àrees: la d'energia solar i la de sensors d'humitat i infrarojos. Per al desenvolupament d'aquesta activitat investigadora s'ha preparat un laboratori en què s'han instal·lat diferents tècniques de creixement cristal·lí: Bridgman, Physical Vapor Transport, Travelling Heater Method, MOCVD, Esprai Piròlisi, Hidrotermal; així com diferents tècniques de preparació i tractaments post-creixement, la qual cosa aporta una àmplia oferta d'infraestructures i possibilitats de desenvolupament. En relació amb la caracterització estructural i morfològica, els membres del grup tenen una...El grup de creixement cristal·lí de la Universitat de València centra la seua activitat en el creixement i la caracterització estructural i morfològica de semiconductors, tant en volum com en forma de capes i nanoestructuras. Esta activitat s'ha exercit fonamentalment en el marc de diferents projectes d'investigació dins de l'àrea de materials per a l'optoelectrònica i l'espintrónica. Els resultats obtinguts s'han plasmat en una significativa contribució acadèmica tant en articles en revistes d'àmplia difusió científica com en congressos i workskops. L'aproximació al sector tecnològic s'ha realitzat en dos àrees: la d'energia solar i la de sensors d'humitat i infrarojos. Per al desenvolupament d'aquesta activitat investigadora s'ha preparat un laboratori en què s'han instal·lat diferents tècniques de creixement cristal·lí: Bridgman, Physical Vapor Transport, Travelling Heater Method, MOCVD, Esprai Piròlisi, Hidrotermal; així com diferents tècniques de preparació i tractaments post-creixement, la qual cosa aporta una àmplia oferta d'infraestructures i possibilitats de desenvolupament. En relació amb la caracterització estructural i morfològica, els membres del grup tenen una contrastada experiència en difracció de raigs-X d'alta resolució (HRXRD) i microscòpia electrònica de transmissió d'alta resolució (HRTEM). La correlació de les propietats dels materials amb les condicions de creixement ha permés un millor coneixement dels processos de creixement i defectes estructurals i són l'eix de la part principal del treball del grup. En l'actualitat una bona part de l'activitat està centrada en els òxids de materials del grup II (ZnO, CdO i MgO) així com els seus aliatges. En aquest marc va estar el lideratge del projecte europeu SOXESS així com l'organització del Symposium IX en l'E-MRS sobre este tema. El grup col·labora de forma regular tant amb grups nacionals (U.Valladolid, U. País Basc, Institut Jaume Almera, (ISOM) UPM, com a estrangers (CNRS-Bellevue, França; Universitat del Warwick, Regne Unit; National Renewable Energy Lab. en Golden, Colorado, EE.UU.). The crystal growth group at the University of Valencia focuses his work on the growth and structural characterization of semiconductors, both in volume and as layers or nanostructures. This activity has been mainly developed in the context of different research projects within the area of materials for optoelectronics and spintronics. The results are reflected in international scientific journals, conferences and workskops. The approach to the technological sector has been made in two areas: solar energy and sensors (infrared and noise sensors). For the development of this research activity, a laboratory with different crystal growth techniques has been build up: Bridgman, Physical Vapor Transport, Travelling Heater Method, MOCVD, Spray Pyrolysis, Hydrothermal. Different preparation techniques and post-growth treatments are also available, providing a wide range of development possibilities. Regarding the structural and morphological characterization, some members of the group have proven their expertise in high resolution X-ray diffraction (HRXRD) and high resolution transmission electron microscopy (HRTEM). The correlation of the grown material properties and their structural characteristics has allowed a better understanding of the growth processes and are the center of an important part of the group work. At present, much of the activity is focused on oxides of Group II (ZnO, CdO and MgO ) and their alloys. In this framework, the group participated some time ago as leadership in the SOXESS European project and in the organization of the IX Symposium (devoted to this specific topic) on the E-MRS.The group regularly collaborates with both national groups (U.Valladolid, U. País Basc, Institut Jaume Almera, (ISOM) UPM, and international (CNRS-Bellevue, França; Universitat del Warwick, Regne Unit; National Renewable Energy Lab. en Golden, Colorado, EE.UU.).
[Leer más][Ocultar]
 
Página Web:
 
Objetivos cientificotécnicos:
  • Crecimiento cristalino y caracterización de materiales para la optoeléctronica UV y la espintrónica
 
Líneas de investigación:
  • Crecimiento cristalino. Creixement de materials mitjançant les tècniques de: Bridgman, transport de zona calenta (THM) , deposició en fase vapor (PVD) , deposició en fase química d'organometàlics (MOCVD), espray pirólisis (SP). Actualment es realitzen creixements de diferents tipus d'òxids (CdO, MgO, ZnO i alliatges).
  • Caracterización estrutural. Caracterització mitjançant les tècniques de difracció de rajos X d'alta resolució (HRXRD) , difracció múltiple de rajos X (XRMD) , microscòpia d'escombratge (SEM) , microscòpia de transmissió d'alta resolució (HRTEM) . Els materials analitzats poden ser en volum, en forma de capes o nanoestructures.
  • Propiedades físicas. Caracterització de propietats físiques, amb especial èmfàsi en les propietats òptiques: absorció, fotoluminiscència, espectroscòpia Raman...
 
Componentes del grupo:
Nombre Carácter de la participación Entidad Descripción
Vicente Muñoz SanjoséDirector-a UVEG-Valencia Catedràtic-a d'Universitat
Equip d'investigació
M. del Carmen Martínez TomásMembre UVEG-Valencia Catedràtic-a d'Universitat
Luis Artus SurrocaCol·laborador-a CSIC-Madrid Investigador-a
Ramón Cusco CornetCol·laborador-a CSIC-Madrid Investigador-a
José Ángel García GarcíaCol·laborador-a UPV/EHU-País Vasco Catedràtic-a d'Universitat
Equip de Treball
Said AgouramEquip de Treball UVEG-Valencia Tècnic-a Superior UVEG
Antonia Atencia HenarejosEquip de Treball UVEG-Valencia Oficial de Laboratori Prometeu