GIUV2013-072
El grup de creixement cristal·lí de la Universitat de València centra la seua activitat en el creixement i la caracterització estructural i morfològica de semiconductors, tant en volum com en forma de capes i nanoestructuras. Esta activitat s'ha exercit fonamentalment en el marc de diferents projectes d'investigació dins de l'àrea de materials per a l'optoelectrònica i l'espintrónica. Els resultats obtinguts s'han plasmat en una significativa contribució acadèmica tant en articles en revistes d'àmplia difusió científica com en congressos i workskops. L'aproximació al sector tecnològic s'ha realitzat en dos àrees: la d'energia solar i la de sensors d'humitat i infrarojos. Per al desenvolupament d'aquesta activitat investigadora s'ha preparat un laboratori en què s'han instal·lat diferents tècniques de creixement cristal·lí: Bridgman, Physical Vapor Transport, Travelling Heater Method, MOCVD, Esprai Piròlisi, Hidrotermal; així com diferents tècniques de preparació i tractaments post-creixement, la qual cosa aporta una àmplia oferta d'infraestructures i possibilitats de desenvolupament. En relació amb la caracterització estructural i morfològica, els membres del grup tenen una...El grup de creixement cristal·lí de la Universitat de València centra la seua activitat en el creixement i la caracterització estructural i morfològica de semiconductors, tant en volum com en forma de capes i nanoestructuras. Esta activitat s'ha exercit fonamentalment en el marc de diferents projectes d'investigació dins de l'àrea de materials per a l'optoelectrònica i l'espintrónica. Els resultats obtinguts s'han plasmat en una significativa contribució acadèmica tant en articles en revistes d'àmplia difusió científica com en congressos i workskops. L'aproximació al sector tecnològic s'ha realitzat en dos àrees: la d'energia solar i la de sensors d'humitat i infrarojos. Per al desenvolupament d'aquesta activitat investigadora s'ha preparat un laboratori en què s'han instal·lat diferents tècniques de creixement cristal·lí: Bridgman, Physical Vapor Transport, Travelling Heater Method, MOCVD, Esprai Piròlisi, Hidrotermal; així com diferents tècniques de preparació i tractaments post-creixement, la qual cosa aporta una àmplia oferta d'infraestructures i possibilitats de desenvolupament. En relació amb la caracterització estructural i morfològica, els membres del grup tenen una contrastada experiència en difracció de raigs-X d'alta resolució (HRXRD) i microscòpia electrònica de transmissió d'alta resolució (HRTEM). La correlació de les propietats dels materials amb les condicions de creixement ha permés un millor coneixement dels processos de creixement i defectes estructurals i són l'eix de la part principal del treball del grup. En l'actualitat una bona part de l'activitat està centrada en els òxids de materials del grup II (ZnO, CdO i MgO) així com els seus aliatges. En aquest marc va estar el lideratge del projecte europeu SOXESS així com l'organització del Symposium IX en l'E-MRS sobre este tema. El grup col·labora de forma regular tant amb grups nacionals (U.Valladolid, U. País Basc, Institut Jaume Almera, (ISOM) UPM, com a estrangers (CNRS-Bellevue, França; Universitat del Warwick, Regne Unit; National Renewable Energy Lab. en Golden, Colorado, EE.UU.).
[Llegir més][Ocultar]
[Llegir més][Ocultar]
- Crecimiento cristalino y caracterizacion de materiales para la optoelectronica UV y la espintronica
- Creixement cristal·lí.Creixement de materials mitjançant les tècniques de: Bridgman, transport de zona calenta (THM), deposició en fase vapor (PVD), deposició química de vapor metal·loorgànic (MOCVD), espray piròlisi (SP). Actualment es duen a terme creixements de diferents tipus d'òxids (CdO, MgO, ZnO i aliatges).
- Caracterizació estructural.Caracterització mitjançant les tècniques de difracció de raigs X d'alta resolució (HRXRD), difracció múltiple de raigs X (XRMD), microscòpia d'escombratge (SEM), microscòpia de transmissió d'alta resolució (HRTEM). Els materials analitzats poden ser en volum, en forma de capes o nanoestructures.
- Propietats físiques.Caracterització de propietats físiques, amb especial èmfasi en les propietats òptiques: absorció, fotoluminiscència, espectroscòpia Raman.
| Nom | Caràcter de la participació | Entitat | Descripció |
|---|---|---|---|
| VICENTE MUÑOZ SANJOSE | Director-a | Universitat de València | Catedràtica/Catedràtic d'Universitat |
| Equip d'investigació | |||
| LUIS ARTUS SURROCA | Col·laborador-a | Consejo Superior de Investigaciones Científicas | investigador-a |
| RAMON CUSCO CORNET | Col·laborador-a | Consejo Superior de Investigaciones Científicas | investigador-a |
| JOSE ANGEL GARCIA GARCIA | Col·laborador-a | Universidad del País Vasco Euskal Herriko Unibertsitatea | catedràtic-a d'universitat |
- Otra investigación y desarrollo experimental en ciencias naturales y técnicas.
- Física Aplicada i Electromagnetisme
- Bridgman; THM; PVD; MOCVD; SP; CdO; MgO; ZnO
- SEM; XRD; HRXRD; HRTEM
- Propiedades fisicas de semiconductores
