Els Grups d'Investigació de la UV (GIUV), regulats al capítol I del Reglament ACGUV48/2013, pel qual es desenvolupa el procediment per a la creació d’estructures d’investigació, són estructures bàsiques d'organització i desenvolupament de l'activitat investigadora, resultat de la agrupació d'investigadors, lliure i voluntària, per raons de coincidència estable en els seus objectius, infraestructures i recursos, compartits entorn d'unes línies d'investigació comunes, afins o complementàries amb compromís temporal d’estabilitat, consolidació i treball conjunt, i capacitat de finançament sostenible.

Els Grups d’Investigació inclosos en l’àmbit d’aplicació de l'esmentat Reglament estan inscrits al Registre d’Estructures d’Investigació de la Universitat de València (REIUV), sota la dependència del Vicerectorat d’Investigació. La seua informació bàsica pot consultarse en aquesta pàgina web.

Participants

Les dades relatives als grups d'investigació que figuren en els diferents mitjans de difusió de la informació que s'utilitzen no suposaran, en cap cas, un pronunciament ni un compromís respecte de la vinculació laboral o acadèmica de les persones que figuren, amb la Universitat de València, sent la seua inclusió responsabilitat exclusiva de els/as directors/as dels grups. La seua actualització es realitzarà a petició de les persones interessades.

.

  • Grups inscrits al Registre d'Estructures d'Investigació de la Universitat de València - REIUV

Grup de creixement cristal·lí i caracterització de semiconductors - CRECYCSEM

Referència del grup:

GIUV2013-072

 
Descripció de l'activitat investigadora:
El grup de creixement cristal·lí de la Universitat de València centra la seua activitat en el creixement i la caracterització estructural i morfològica de semiconductors, tant en volum com en forma de capes i nanoestructuras. Esta activitat s'ha exercit fonamentalment en el marc de diferents projectes d'investigació dins de l'àrea de materials per a l'optoelectrònica i l'espintrónica. Els resultats obtinguts s'han plasmat en una significativa contribució acadèmica tant en articles en revistes d'àmplia difusió científica com en congressos i workskops. L'aproximació al sector tecnològic s'ha realitzat en dos àrees: la d'energia solar i la de sensors d'humitat i infrarojos. Per al desenvolupament d'aquesta activitat investigadora s'ha preparat un laboratori en què s'han instal·lat diferents tècniques de creixement cristal·lí: Bridgman, Physical Vapor Transport, Travelling Heater Method, MOCVD, Esprai Piròlisi, Hidrotermal; així com diferents tècniques de preparació i tractaments post-creixement, la qual cosa aporta una àmplia oferta d'infraestructures i possibilitats de desenvolupament. En relació amb la caracterització estructural i morfològica, els membres del grup tenen una...El grup de creixement cristal·lí de la Universitat de València centra la seua activitat en el creixement i la caracterització estructural i morfològica de semiconductors, tant en volum com en forma de capes i nanoestructuras. Esta activitat s'ha exercit fonamentalment en el marc de diferents projectes d'investigació dins de l'àrea de materials per a l'optoelectrònica i l'espintrónica. Els resultats obtinguts s'han plasmat en una significativa contribució acadèmica tant en articles en revistes d'àmplia difusió científica com en congressos i workskops. L'aproximació al sector tecnològic s'ha realitzat en dos àrees: la d'energia solar i la de sensors d'humitat i infrarojos. Per al desenvolupament d'aquesta activitat investigadora s'ha preparat un laboratori en què s'han instal·lat diferents tècniques de creixement cristal·lí: Bridgman, Physical Vapor Transport, Travelling Heater Method, MOCVD, Esprai Piròlisi, Hidrotermal; així com diferents tècniques de preparació i tractaments post-creixement, la qual cosa aporta una àmplia oferta d'infraestructures i possibilitats de desenvolupament. En relació amb la caracterització estructural i morfològica, els membres del grup tenen una contrastada experiència en difracció de raigs-X d'alta resolució (HRXRD) i microscòpia electrònica de transmissió d'alta resolució (HRTEM). La correlació de les propietats dels materials amb les condicions de creixement ha permés un millor coneixement dels processos de creixement i defectes estructurals i són l'eix de la part principal del treball del grup. En l'actualitat una bona part de l'activitat està centrada en els òxids de materials del grup II (ZnO, CdO i MgO) així com els seus aliatges. En aquest marc va estar el lideratge del projecte europeu SOXESS així com l'organització del Symposium IX en l'E-MRS sobre este tema. El grup col·labora de forma regular tant amb grups nacionals (U.Valladolid, U. País Basc, Institut Jaume Almera, (ISOM) UPM, com a estrangers (CNRS-Bellevue, França; Universitat del Warwick, Regne Unit; National Renewable Energy Lab. en Golden, Colorado, EE.UU.).
[Llegir més][Ocultar]
 
Pàgina Web:

http://www.crecycsem.es

 
Objectius cientificotècnics:
  • Crecimiento cristalino y caracterizacion de materiales para la optoelectronica UV y la espintronica
 
Línies d'investigació:
  • Creixement cristal·lí.Creixement de materials mitjançant les tècniques de: Bridgman, transport de zona calenta (THM), deposició en fase vapor (PVD), deposició química de vapor metal·loorgànic (MOCVD), espray piròlisi (SP). Actualment es duen a terme creixements de diferents tipus d'òxids (CdO, MgO, ZnO i aliatges).
  • Caracterizació estructural.Caracterització mitjançant les tècniques de difracció de raigs X d'alta resolució (HRXRD), difracció múltiple de raigs X (XRMD), microscòpia d'escombratge (SEM), microscòpia de transmissió d'alta resolució (HRTEM). Els materials analitzats poden ser en volum, en forma de capes o nanoestructures.
  • Propietats físiques.Caracterització de propietats físiques, amb especial èmfasi en les propietats òptiques: absorció, fotoluminiscència, espectroscòpia Raman.
 
Components del grup:
Nom Caràcter de la participació Entitat Descripció
VICENTE MUÑOZ SANJOSEDirector-aUniversitat de ValènciaCatedràtica/Catedràtic d'Universitat
Equip d'investigació
LUIS ARTUS SURROCACol·laborador-aConsejo Superior de Investigaciones Científicasinvestigador-a
RAMON CUSCO CORNETCol·laborador-aConsejo Superior de Investigaciones Científicasinvestigador-a
JOSE ANGEL GARCIA GARCIACol·laborador-aUniversidad del País Vasco Euskal Herriko Unibertsitateacatedràtic-a d'universitat
 
CNAE:
  • Otra investigación y desarrollo experimental en ciencias naturales y técnicas.
 
Estructura associada:
  • Física Aplicada i Electromagnetisme
 
Paraules clau:
  • Bridgman; THM; PVD; MOCVD; SP; CdO; MgO; ZnO
  • SEM; XRD; HRXRD; HRTEM
  • Propiedades fisicas de semiconductores