Els Grups d'Investigació de la UV (GIUV), regulats al capítol I del Reglament ACGUV48/2013, pel qual es desenvolupa el procediment per a la creació d’estructures d’investigació, són estructures bàsiques d'organització i desenvolupament de l'activitat investigadora, resultat de la agrupació d'investigadors, lliure i voluntària, per raons de coincidència estable en els seus objectius, infraestructures i recursos, compartits entorn d'unes línies d'investigació comunes, afins o complementàries amb compromís temporal d’estabilitat, consolidació i treball conjunt, i capacitat de finançament sostenible.
Els Grups d’Investigació inclosos en l’àmbit d’aplicació de l'esmentat Reglament estan inscrits al Registre d’Estructures d’Investigació de la Universitat de València (REIUV), sota la dependència del Vicerectorat d’Investigació. La seua informació bàsica pot consultarse en aquesta pàgina web.
Participants
Les dades relatives als grups d'investigació que figuren en els diferents mitjans de difusió de la informació que s'utilitzen no suposaran, en cap cas, un pronunciament ni un compromís respecte de la vinculació laboral o acadèmica de les persones que figuren, amb la Universitat de València, sent la seua inclusió responsabilitat exclusiva de els/as directors/as dels grups. La seua actualització es realitzarà a petició de les persones interessades.
.
- Grups inscrits al Registre d'Estructures d'Investigació de la Universitat de València - REIUV
Referència del grup:
Descripció de l'activitat investigadora: El focus principal de l' activitat investigadora se centra, d' una banda, en l' entesa de la física de creixement de materials, ordenats àtom a àtom i capa a capa sobre superfícies en un entorn ultranet (buit ultraalt, conegut com a UHV); i de l' altra costat, en la investigació de les propietats físiques resultants (estructurals, màgntiques, electròniques, tèrmiques) de les capes atòmiques i heteroestructures atòmicament definides. Aquest entorn d' ultra-alt buit garanteix condicions òptimes per observar no només les propietats dels materials en el límit ultranet, sinó sobretot detectar fenòmens emergents en interfícies de materials estructural o químicament dissímils. Per a això emprem una tècnica capdavantera -establida per primera vegada en la comunitat valenciana- anomenada epitaxia de fas moleculars (MBE) i un mètode de caracterització estructural de difracció d'electrons in-situ (RHEED) per controlar l' ordenament estructural dels àtoms i les cap dels materials en temps real. Es planteja establir un "laboratori en ultra-alt buit", la qual cosa significa dur a terme tota la caracterització física i química necessària en cambres d'ultra alt buit (in-situ)....El focus principal de l' activitat investigadora se centra, d' una banda, en l' entesa de la física de creixement de materials, ordenats àtom a àtom i capa a capa sobre superfícies en un entorn ultranet (buit ultraalt, conegut com a UHV); i de l' altra costat, en la investigació de les propietats físiques resultants (estructurals, màgntiques, electròniques, tèrmiques) de les capes atòmiques i heteroestructures atòmicament definides. Aquest entorn d' ultra-alt buit garanteix condicions òptimes per observar no només les propietats dels materials en el límit ultranet, sinó sobretot detectar fenòmens emergents en interfícies de materials estructural o químicament dissímils. Per a això emprem una tècnica capdavantera -establida per primera vegada en la comunitat valenciana- anomenada epitaxia de fas moleculars (MBE) i un mètode de caracterització estructural de difracció d'electrons in-situ (RHEED) per controlar l' ordenament estructural dels àtoms i les cap dels materials en temps real. Es planteja establir un "laboratori en ultra-alt buit", la qual cosa significa dur a terme tota la caracterització física i química necessària en cambres d'ultra alt buit (in-situ). Això concedeix la possibilitat d' explorar certs materials quàntics que es degraden o oxiden fàcilment en exposar-se a l' aire i de conservar un sistema ben definit des de la seva creació fins al final de la cadena de caracterització. A més, aquest enfocament acosta al màxim un experiment als models teòrics atomístics. Després d'haver estudiat i entès les propietats físiques resultants, els materials que hagin estat optimitzats es cobriran amb un material protector (capping layer) per poder treure'ls a l'aire i permetre un processat a posteriori, com per exemple la fabricació de dispositius. En aquest sentit, l'objectiu de desenvolupar materials avançats i heteroestructures de pel·lícules primes amb tècniques epitaxials escalables (com l'MBE) obre moltes oportunitats per a la concepció i desenvolupament de dispositius i les seves aplicacions. Per tant, una part de la nostra activitat anirà orientada a transferència tecnològica, procurant utilitzar les propietats físiques singulars de materials quàntics -com semimetals topològics o sistemes magnètics de baixa dimensió en dispositius funcionals. El leitmotiv de la nostra recerca rau en la comprensió dels fenòmens físics fonamentals i la seva aplicació a través de l'enginyeria de materials; tocant així múltiples disciplines en física de matèria condensada, nanotecnologia, química i ciència de materials.[Llegir més][Ocultar]
Pàgina Web:
Objectius cientificotècnics: - Desarollo del crecimiento epitaxial de materiales bidimensionales, topologicos y sus heteroestructuras
- Entendimiento de las propiedades fisicas de los materiales y su control mediante las condiciones de crecimiento
- Desarollo de dispositivos con aplicaciones electronicas, espintronicas y de conversion de energia a partir de materiales crecidos epitaxialmente
Línies d'investigació: - Materials bidimensionals amb propietats ferroiques.El recent descobriment de la ferrobilitat robusta en materials bidimensionals (2D) de gruix atòmic s'ha convertit en una fita en la ciència de la matèria condensada. El nostre objectiu és investigar les propietats conjuntes de les heteroestructures ferròiques 2D per a poder comprendre i controlar l'acoblament entre elles.
- Materials topològics.El nostre objectiu és comprendre com la topologia i l'estructura electrònica estan relacionades amb paràmetres dependents de l'epitàxia, com ara la tensió, el dopatge i la terminació superficial. Després de la preparació de heteroestructures, aquestes propietats topològiques poden aprofitar-se per a aplicacions en espintrònica i termoelectricitat.
Components del grup:
| Nom |
Caràcter de la participació |
Entitat |
Descripció |
| AMILCAR BEDOYA PINTO | Director-a | Universitat de València | Personal Investigador |
CNAE: - Otra investigación y desarrollo experimental en ciencias naturales y técnicas.
Estructura associada: - Institut de Ciència Molecular (ICMOL)
