Fotònica i semiconductors - FOSE

Referència del grup:

GIUV2013-112

 
Descripció de l'activitat investigadora:
El grup FOTÒNICA I SEMICONDUCTORS (VALLEGE) centra la seua activitat investigadora en la preparació i caracterització de dispositius i materials, abastant aspectes fonamentals i el desenvolupament d'aplicacions, principalment en fotònica. El grup s'estructura en tres grans línies d'investigació: SEMICONDUCTORS I CONDICIONS EXTREMES. Aquesta línia desenvolupa diversos temes de treball, en ciència de materials, units per ús de tècniques espectroscòpiques en condicions extremes (altes pressions i altes temperatures) per a la comprensió de la síntesi, estructura cristal·lina i electrònica dels següents materials: Semiconductors de gap ample per a aplicacions optoelectròniques, entre ells materials derivats del ZnO i els seus aliatges i delafosites (CuMIIIO2), la preparació dels quals es realitza mitjançant tècniques de deposició en capa prima. Materials d'interés geofísic pel paper que juguen en la composició de la terra, com el MgO o el quars Materials per a tecnologies verdes com la fotocatàlisi (vanadats de terres rares) o el segrest de CO2 (zeolites i diferents formes de sílice porosa). L'equip d'aquesta línia s'ha especialitzat en l'ús d'una gran varietat dispositius per...El grup FOTÒNICA I SEMICONDUCTORS (VALLEGE) centra la seua activitat investigadora en la preparació i caracterització de dispositius i materials, abastant aspectes fonamentals i el desenvolupament d'aplicacions, principalment en fotònica. El grup s'estructura en tres grans línies d'investigació: SEMICONDUCTORS I CONDICIONS EXTREMES. Aquesta línia desenvolupa diversos temes de treball, en ciència de materials, units per ús de tècniques espectroscòpiques en condicions extremes (altes pressions i altes temperatures) per a la comprensió de la síntesi, estructura cristal·lina i electrònica dels següents materials: Semiconductors de gap ample per a aplicacions optoelectròniques, entre ells materials derivats del ZnO i els seus aliatges i delafosites (CuMIIIO2), la preparació dels quals es realitza mitjançant tècniques de deposició en capa prima. Materials d'interés geofísic pel paper que juguen en la composició de la terra, com el MgO o el quars Materials per a tecnologies verdes com la fotocatàlisi (vanadats de terres rares) o el segrest de CO2 (zeolites i diferents formes de sílice porosa). L'equip d'aquesta línia s'ha especialitzat en l'ús d'una gran varietat dispositius per a la generació d'altes pressions i temperatures que són usats in-situ en equipaments espectroscòpics de laboratori (absorció òptica, espectroscòpia Raman i FTIR, transport) o en grans instal·lacions de radiació sincrotró, de les quals els seus membres són usuaris assidus. FIBRES ÒPTIQUES. L'activitat investigadora i tecnològica d'aquesta línia d'investigació se centra en la fabricació de components de fibra òptica, la seua modelització i les seues aplicacions. El Laboratori disposa de quatre tècniques de fabricació de components de fibra òptica fonamentats en: la fabricació de fibra òptica de cristall fotònic, l'enregistrament de xarxes de Bragg en fibra, el muntatge de dispositius acusto-òptics en fibra i la preparació de fibres òptiques estretes per fusió i estirament. Entre els camps d'aplicació de l'activitat investigadora del laboratori destaquen el desenvolupament de làsers de fibra òptica, noves fonts de llum (pares de fotons, llum blanca d'espectre supercontinu, etc.), sensors i comunicacions òptiques. L'equip de treball del laboratori de fibres òptiques manté col·laboracions estables amb nombrosos grups d'investigació d'Iberoamèrica i Europa, així com una intensa activitat de col·laboració amb empreses i transferència dels resultats d'investigació. MATERIALS I DISPOSITIUS OPTOELECTRÒNICS treballa en la síntesi químic-física de nanomaterials (nanopartícules metàl·liques, punts quàntics, polímers multi-funcionals), processat d'aquests en forma de capes primes, així com en l'estudi de les seues propietats estructurals, electròniques i òptiques. Aquest treball és el punt de partida per a desenvolupar estructures i dispositius fotònics/plasmònics/optoelectrònics, a més de desenvolupar aplicacions en el camp de sensors, energia fotovoltaica i telecomunicacions. D'altra banda, també s'investiga en les propietats òptiques de punts quàntics III-V a nivell aïllat, entre les quals cal esmentar la naturalesa quàntica de la llum que emeten, el seu origen i control, per la seua futura repercussió en el camp de la computació i les comunicacions quàntiques. Més recentment, es comença a preparar i caracteritzar altres tipus de nanoestructures semiconductores bidimensionals, de gruix atòmic, pel seu gran potencial en la futura nanotecnologia electrònica/optoelectrònica en combinació amb elèctrodes de nanoestructures metàl·liques bidimensionals com el grafé.
[Llegir més][Ocultar]
 
Pàgina Web:
 
Objectius cientificotècnics:
  • Fabricacion de fibras de cristal fotonico y componentes especiales de fibra optica para laseres, fuentes de luz, sensores y fotonica de microondas
  • Diseño, fabricacion y caracterizacion de dispositivos fotonicos/plasmonicos para telecomunicaciones y otras aplicaciones
  • Sintesis y caracterizacion de materiales de interes optoelectronico o geofisico mediante el uso de tecnicas espectroccopicas en condiciones extremas
 
Línies d'investigació:
  • Fibres òptiques.Fabricació de fibres de cristall fotònic i components especials de fibra òptica (xarxes de difracció, dispositius acusto-òptics i fibres estretes), la seua modelització i les seues aplicacions a làsers, fonts de llum basades en efectes no lineals, sensors i fotònica de microones.
  • Materials i dispositius optoelectronics.Desenvolupament de nanoestructures semiconductores i polímers polifuncionals com a base d'estructures fotòniques/ plasmòniques i dispositius. Caracterització estructural-electrònica-elèctrica-òptica de nanomaterials i dispositius. Aplicacions en sensors químics i biosensors, telecomunicacions i energia fotovoltaica.
  • Semiconductors i condicions extremes.Síntesi i investigació de l'estructura cristal·lina i electrònica de semiconductors i materials d'interés geofísic mitjançant tècniques espectroscòpiques en condicions extremes de pressió i temperatura, en laboratori o en grans instal·lacions de radiació sincrotró.
 
Components del grup:
Nom Caràcter de la participació Entitat Descripció
MIGUEL VICENTE ANDRES BOUDirector-aUniversitat de ValènciaCatedràtica/Catedràtic d'Universitat
Equip d'investigació
ALFREDO SEGURA GARCIA DEL RIOMembreUniversitat de València - Estudi Generalprofessor-a honorari-a UVEG
JOSE LUIS CRUZ MUÑOZMembreUniversitat de ValènciaCatedràtic D Universitat
CHANTAL MARIA FERRER ROCAMembreUniversitat de ValènciaTitular d'Universitat
DOMINGO MARTINEZ GARCIAMembreUniversitat de ValènciaTitular d'Universitat
ANTONIO DIEZ CREMADESMembreUniversitat de ValènciaCatedràtica/Catedràtic d'Universitat
ENRIQUE SILVESTRE MORAMembreUniversitat de ValènciaCatedràtica/Catedràtic d'Universitat
JULIO PELLICER PORRESMembreUniversitat de ValènciaTitular d'Universitat
DANIEL JORGE ERRANDONEA PONCEMembreUniversitat de ValènciaCatedràtic/a d'Universitat
MARTINA DELGADO PINARMembreUniversitat de ValènciaAjudant Doctor/Doctora
DAVID SANTAMARIA PEREZMembreUniversitat de ValènciaTitular d'Universitat
PABLO BOTELLA VIVESMembreUniversitat de ValènciaPersonal Investigador
DAVID CASTELLO LURBEMembreUniversitat de ValènciaAjudant Doctor/a
HUSSIEN HELMY HASSAN OSMANMembreUniversitat de ValènciaPersonal Investigador
CARLOS ANDRES ALVAREZ OCAMPOMembreUniversitat de ValènciaPersonal Investigador
SIMONE ANZELLINI MembreUniversitat de ValènciaPersonal Investigador
BENEDITO DONIZETI BOTAN NETOMembreUniversitat de ValènciaPersonal Investigador/a
JUAN JULIAN BARRIELMembreUniversitat de ValènciaPersonal Investigador/a
GANESH BERA MembreUniversitat de ValènciaPersonal Investigador
ISAAC SUAREZ ALVAREZCol·laborador-aUniversitat de ValènciaTitular d'Universitat
CHRISTIAN ARIEL CUADRADO LABORDECol·laborador-aConsejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas (Argentina)investigador-a
EMMANUEL RIVERA PEREZCol·laborador-aUniversidad Autónoma de San Luís de Potosí (México)investigador-a
LORENA VELAZQUEZ IBARRACol·laborador-aUniversidad Autónoma de San Luís de Potosí (México)investigador-a
Yury BarmenkovCol·laborador-aCentro de Investigaciones en Óptica A. C.investigador-a
 
CNAE:
  • Otra investigación y desarrollo experimental en ciencias naturales y técnicas.
  • Educación universitaria.
 
Estructura associada:
  • Institut Universitari de Ciència dels Materials (ICMUV)
 
Paraules clau:
  • fibras ópticas de cristal fotónico, redes de difracción, acusto-óptica, láseres, supercontinuo, sensores, microcavidades, fotónica de microondas nanomateriales, plasmónica, nanotecnología, optoelectrònica, sensores y biosensores
  • Nanomateriales; puntos cuánticos coloidades; polímeros poli-funcionales; fotónica; plasmónica; nanotecnología; optoelectrónica; sensores y biosensores
  • Condiciones extremas; celda de diamante; capas delgadas; gap ancho; transiciones de fase; fases metaestables; altas presiones;altas temperaturas;